白木 靖寛 | 都市大総研

スポンサーリンク

概要

• 白木 靖寛の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 都市大総研の論文著者

関連著者

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 白木 靖寛

  東大先端研

• 小宮山 進

  東大院総合文化

• 長田 俊人

  東大先端研

• 小宮山 進

  東大教養

• 平井 宏

  東大院総合

• 深津 晋

  東大・教養

• 澤野 憲太郎

  都市大総研

• 深津 晋

  東大先端研

• 平井 宏

  東大教養

• 川口 康

  科学技術振興事業団

• 三浦 登

  東京大学物性研究所

• 三浦 登

  東大物性研

• 岡本 徹

  東大理

• 河野 行雄

  理研:jstさきがけ

• 町田 友樹

  東大院総合

• 河野 行雄

  東大院総合

• 白木 靖寛

  武蔵工大総研

• 白木 靖寛

  東京都市大学

• 豊島 秀雄

  日電マイクロエレ研

• 長田 俊人

  東大物性研

• 油谷 明栄

  東大先端研

• 澤野 憲太郎

  武蔵工大総研

• 伊藤 良一

  東大先端研

• 川路 紳治

  学習院大理

• 町田 友樹

  東大教養

• 細谷 邦雄

  学習院大理

• 川口 康

  東大院総合

• 内田 和人

  東大物性研

• 前田 康二

  東大・工

• 白木 靖寛

  東大・先端研

• 宇佐美 徳隆

  東北大学金属材料研究所

• 宇佐美 徳隆

  東北大金研

• 蔵口 雅彦

  東大物性研

• 大山 忠司

  Osaka Univ. Osaka

• 町田 友樹

  東大生産研

• 大道 英二

  東大物性研

• 岡本 徹

  学習院大理

• 浜屋 宏平

  東大生産研

• 東 隆

  東京大学先端科学技術研究センター

• 白木 靖寛

  東京大学先端科学技術研究センター

• 長田 俊人

  東京大学先端科学技術研究センター

• 枡富 龍一

  東大理

• 吉田 勝治

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  東大工

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 枡富 龍一

  東大物性研

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研

• 三浦 登

  理研

• 目良 裕

  東大・工

• 高橋 敏男

  東大物性研

• 小林 直樹

  東大院理

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 張 小威

  高エネ研物構研

• 小寺 哲夫

  東大理

• 杉原 加織

  東大生産研

• 佐々木 恒平

  東大理

• 當山 清彦

  東大理

• 當山 清彦

  東大理:nec

• Miura N

  Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu Univer

• 井海田 隆

  東大物性研

• 林 文男

  東大教養

• 尾上 秀平

  東大教養

• 小寺 哲夫

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 一色 史雄

  東大先端研

• 宇佐美 徳隆

  東大先端研

• 有本 英生

  東大物性研

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 兵屋 宏平

  東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• 伊藤 公平

  慶応大理工

• 張 小威

  KEK-PF

• 増渕 覚

  東大生産研

• 鹿児島 誠一

  東大教養

• 町田 友樹

  東大先端研

• 中谷 信一郎

  東大物性研

• 深津 晋

  東大・先端研

• 岡本 徹

  学習院大 理

• 川路 紳治

  学習院大 理

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構

• 川村 稔

  理研

• 川村 稔

  東大生産研

• 西岡 貴央

  東大理

• 増渕 覚

  東京大学生産技術研究所

• 草野 修治

  物材機構

• 鄭 宗煥

  東大院総合

• 関根 啓仁

  東大理

• 安田 一平

  東大理

• 森田 健

  慶大理工

• 伊藤 公平

  慶大理工

• 白木 靖寛

  東大院工

• 細谷 邦雄

  学習院大 理

• 関澤 俊弦

  学習院大理

• 伊藤 良一

  東大工

• 竹ノ内 弘和

  東大教養

• 中村 英達

  東大物性研

• 森田 健

  科学技術振興機構:東北大通研

• 川口 康

  東大教養

• 松田 康弘

  東大物性研

• 嶽山 正二郎

  東大物性研

• 依田 芳卓

  JASRI, SPring-8

• 中嶋 誠

  東大物性研

• 末元 徹

  東大物性研

• 申 潤錫

  ICORP-JST

• ブルナー ロランド

  ICORP-JST

• 石原 宏

  東京工業大学

• 尾浦 憲治郎

  大阪大学大学院

• 澤野 憲太郎

  東京都市大学　総合研究所

• 杉山 弘

  Kek Pf

• 渡邉 恵理子

  日本女子大学

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 山下 善文

  東大・工

• 高橋 裕之

  東大生産研

• 田中 倫子

  東大工

• 奥村 次徳

  首都大学東京大学院理工学研究科

• 三浦 真

  東京大学宇宙線研究所

• 高橋 正光

  原研関西研

• 依田 芳卓

  Jasri

• 小舘 香椎子

  日本女子大学理学研究科数理・物性構造科学専攻

• 山田 明

  東工大

• 榊 裕之

  東京大学生産技術研究所

• 榊 裕之

  東大先端研

• 榊 裕之

  東大先端研:新技術事業団

• 榊 裕之

  東京大学先端科学技術研究センター

• 金森 仁志

  京都工繊大

• 岩本 敏

  東大ナノ量子機構

• 中村 淳

  電通大電子

• 田尻 寛男

  JASRI

• 小宮山 進

  東京大学大学院総合文化研究科

• 張 小威

  物構研

• 隅谷 和嗣

  東大物性研

• 安藤 正海

  KEK-PF

• 吉野 淳二

  東工大院理工

• 駒井 友紀

  日本女子大学理学部

• 草野 修治

  東大物性研

• 張 小威

  物構研PF

• 高橋 正光

  東大物性研

• 五明 明子

  日本電気

• 田尻 寛男

  高輝度光科学研究センター

• 駒井 友紀

  日本女子大学 理学部数物科学科

• 駒井 友紀

  日本女子大

• 尾浦 憲治郎

  阪大工

• 槌田 博文

  オリンパス(株)

• 谷川 ゆかり

  産総研

• 渡邉 恵理子

  日本女子大学 理学部

• 高井 まどか

  「応用物理」編集委員会

• 高井 まどか

  東大

• 小林 直樹

  東大院総合, JST

• 石原 宏

  東工大

• 石川 和枝

  上智大

• 菅谷 綾子

  ニコン

• 島田 純子

  科学技術振興機構

• 下川 貴久技

  KickE

• 武藤 準一郎

  慶大理工

• 小舘 香椎子

  日本女子大学 理学部数物科学科

• 海野 憲太郎

  都市大総研

• 小埜 和夫

  東大物性研

• 白木 靖寛

  東京都市大学(旧武蔵工業大学)

• Strutz T.

  東大先端研

• 齋藤 伸吾

  東大物性研

• 中村 淳

  電通大

• 尾浦 憲治郎

  阪大

• 中嶋 誠

  阪大工

• 吉野 淳二

  東工大

• 吉野 淳二

  東工大・工

• 岩本 敏

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 岩本 敏

  東大

• 田中 倫子

  東大

• 草野 修治

  物材ナノマテ研

• 杉山 弘

  Musashi Insts. of Tech.

• 河田 弘

  PF

• 大平 圭介

  東大院工

• 播磨 寛

  阪大工

• 溝口 幸司

  大阪市大

• 白木 靖寛

  武蔵工業大学総合研究所

• 小舘 香椎子

  日本女子大学理学部数物科学科

• 中川 清和

  山梨大学クリスタル科学研究センター

• 澤野 憲太郎

  武蔵工業大学総合研究所シリコンナノ科学研究センター

• 石原 宏

  東工大工

• 牛尾 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 目良 裕

  東大 ・工

• 深津 晋

  日電マイクロエレ研

• 白木 靖寛

  日電マイクロエレ研

• 伊藤 良一

  日電マイクロエレ研

• 宇佐見 徳隆

  東北大金研

• 溝口 幸司

  大坂市大

• 牛尾 二郎

  日立製作所中央研究所

• 奥村 次徳

  首都大学東京

• 山下 善文

  岡山大工

• 三浦 登

  新技術事業団

• 川口 康

  東京大学大学院総合文化研究科

• 白木 靖宏

  東大先端研

• 米良 裕

  東大・工

もっと見る 閉じる

著作論文

• 20pHV-3 Si/SiGe2次元金属相におけるサイクロトロン共鳴(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29a-YM-7 Si/Ge/Si界面からのX線散漫散乱
• 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
• 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
• 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
• 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
• エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探求
• 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
• 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
• 人材育成
• 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
• 25pXD-3 Si/SiGe量子井戸二次元電子系における井戸幅と谷分離エネルギーの関係(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pYK-11 シリコン2次元電子系におけるランダウ準位交差と擬スピン非偏極状態の可能性(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTH-6 高移動度シリコン2次元電子におけるランダウ準位交差と電気伝導の巨大異方性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXL-3 強相関シリコン2次元電子系におけるスクリーニング効果(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13aTJ-8 X 線回折を利用した Si/Ge/Si(001) 結晶における Ge island の歪みについての研究(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
• 20pTH-7 GaAs/AlAs 隣接閉じ込め構造からの励起子磁気発光 II
• 20pTH-6 半導体ナノ構造における電子・正孔空間分離型励起子からの磁気発光ダイナミクス
• 19pTH-7 ^Ge/^Ge同位体ヘテロ構造中のフォノン・ラマン散乱
• 20pWF-3 非コヒーレントな層間結合をもつ層状物質における角度依存磁気抵抗振動の検証
• 20aYH-7 強磁場下半導体超格子における磁気抵抗効果
• イオン注入法を用いた歪み緩和SiGe薄膜の作製と応用
• 28p-R-5 二次元アンチドット格子系における量子ホール状態
• 28p-R-5 二次元アンチドット格子系における量子ホール状態
• 二次元アンチドット格子系の強磁場磁気抵抗
• 二次元アンチドット格子系の強磁場磁気抵抗
• 27pTC-14 半導体超格子における磁場方位に依存する磁気抵抗効果
• 25pSB-6 非コヒーレントな層間結合をもつ半導体超格子における角度依存磁気抵抗振動
• 24pD-11 多層量子ホール系におけるカイラル表面状態の電気伝導特性III
• エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
• 28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
• 27p-N-5 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜中に誘起される少数キャリアトラップ
• 29p-YC-8 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜中に誘起されるディープセンターの起源
• 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
• 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
• 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
• 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
• 13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
• 13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
• 12p-DK-1 SiGe / Siエピタキシャル膜中のディープセンター
• 29p-T-11 量子ホール効果デバイスでの雑音測定
• 30p-N-9 量子ホール効果の試料長さ依存性
• 31p-D-3 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜フォトルミネッセンス測定
• 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
• 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-6 Si/SiGe量子ホール系におけるエッジチャネル伝導(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aYJ-10 GaP/AlPヘテロ構造からの励起子発光と磁場誘起キャリア局在
• 23aYH-5 蛍光X線ホログラフィによるGe/Si(001)量子ドット構造の研究
• 23pL-3 アンチドット系の磁気抵抗の配列及び形状依存性II
• 25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
• 27pD-6 アンチドット系の磁気抵抗の配列及び形状依存性
• 26aC-4 強磁場下におけるSi/SiGe単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
• 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
• 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
• 27a-YN-7 強磁場下及び超強磁場下におけるSi/SiGe単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
• 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
• 2p-YH-1 超強磁場下におけるSiGe/Si単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
• 強磁場下における非対称三重障壁共鳴トンネルダイオードの磁気量子振動
• 23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aRC-1 Si/SiGe量子ホール系における谷分離端状態伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28pーR-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
• 28p-R-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
• QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
• QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
• QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
• QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
• 3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II
• 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
• 28p-X-4 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
• 31a-R-9 MBE成長Si_xGe_/Ge(100)における光励起キャリアーの電子ラマン散乱
• 28p-P-10 半導体ヘテロエピタキシャル膜中の転位運動に対する電子励起効果
• 2a-YH-9 GaP/AlP超格子構造における励起子発光の磁場と圧力の効果
• 30p-R-5 GaP/AlP短周期超格子および量子井戸の磁気発光スペクトル
• 3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II
• 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
• 28p-X-8 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
• 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
• 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
• 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
• 4a-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
• 4p-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
• 13a-DE-7 InGaAs/GaAs量子井戸における励起子の振動子強度
• 12a-DE-5 量子井戸における励起子-フォノン相互作用の井戸幅依存性
• 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
• 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
• 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
• 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
• 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
• 8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定
• 8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光:空間分解測定
• 28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
• 28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
• 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
• 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
• Si1-xGex/Si量子井戸の発光
• エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探究
• 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
• 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
• 29a-R-5 半導体トンネル構造を用いた超格子ポテンシャル下の電子波干渉効果の研究
• 29a-R-5 半導体トンネル構造を用いた超格子ポテンシャル下の電子波干渉効果の研究
• wide-well二重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるvirtual state resonance
• 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定
• 3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II
• 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
• 28a-X-2 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
• 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 31p-N-11 ストレッサが2次元電子ガスに及ぼすポテンシャル形状のワイス振動による研究
• 31p-N-11 ストレッサが2次元電子ガスに及ぼすポテンシャル形状のワイス振動による研究
• 第8回分子線エピタキシー国際会議(MBE-VIII)報告
• 第6回アジア・太平洋物理学会(6APPC)報告
• 日本物理学会編, 表面新物質とエピタクシー, 培風館, 東京, 1992, 264p, 21.5×15.5cm, \5,356
• 第5回アジア・西太平洋物理学会議に参加して
• 第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク