武藤 準一郎 | 慶大理工
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概要
関連著者
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武藤 準一郎
慶大理工
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伊藤 公平
慶大理工
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島田 宏
電通大
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島田 宏
東大低温セ
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大塚 洋一
東大低温センター
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渡部 道生
東大低温セ
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渡部 道生
理化学研究所半導体工学研究室
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大塚 洋一
東大低温セ
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Haller E.e.
Uc Berekely
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Farmer J.w.
Uc Berkeley
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Ozhogin V.I.
Kurchatov Inst
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木下 拓哉
慶大理工
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Farmer J.W.
U.Missouri
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Shutt T.
UC Berkeley
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Cummings A.
UC Berkeley
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Stockwell W.
UC Berkeley
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Sadoulet B.
UC Berkeley
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Kreysa E.
Max-Planck
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伊藤 公平
慶応大理工
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宇佐美 徳隆
東北大金研
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白木 靖寛
都市大総研
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白木 靖寛
東大先端研
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森田 健
慶大理工
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池崎 和男
慶応大学
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大場 勇治郎
慶応大学
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溝口 幸司
大坂市大
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宇佐美 徳隆
東大先端研
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森田 健
科学技術振興機構:東北大通研
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Missouri U.
UC Berkeley
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大場 勇治郎
Instrumentation Engineering Department, Faculty of Engineering Keio University
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池崎 和男
Instrumentation Engineering Department, Faculty of Engineering Keio University
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横山 光男
Instrumentation Engineering Department, Faculty of Engineering Keio University
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新井 康世
Instrumentation Engineering Department, Faculty of Engineering Keio University
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武藤 準一郎
Instrumentation Engineering Department, Faculty of Engineering Keio University
-
横山 光男
Instrumentation Engineering Department Faculty Of Engineering Keio University
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Reichertz L.A.
Max-Planck
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新井 康世
Instrumentation Engineering Department Faculty Of Engineering Keio University
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Haller E.
UC Berkeley
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Reichertz L.
Max-Planck
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Farmer J.
U. Missouri
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Ozhogin V.
Kurchatov Inst.
著作論文
- 25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
- 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱II
- 1p-F-6 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱
- マイコンを用いた大学低学年物理実験の成績評価
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 2p-F-2 不純物ドーピングによるp型半導体の金属-絶縁体転移
- 半導体中の2価の中性不純物によるキャリアの散乱
- 6a-N-2 Ge:Ga試料の金属-絶縁体転移近傍における遠赤外反射測定
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 寄書 室温パルス電着によるCdS薄膜の作製と評価
- 寄書 In及びSeを含む電解水溶液からのIn2Se3電着膜の作製
- 6a-N-2 Ge:Ga試料の金属-絶縁体転移近傍における遠赤外反射測定
- RhB/H2Oへの添加物効果およびRh6G/PMMAの劣化
- 2p-F-2 不純物ドーピングによるp型半導体の金属-絶縁体転移(2pF 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,アンダーソン局在),低温)