大塚 洋一 | 東大低温センター
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概要
関連著者
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大塚 洋一
東大低温センター
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大塚 洋一
東大低温セ
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島田 宏
東大低温セ
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島田 宏
電通大
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大塚 洋一
東大理
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小林 俊一
東大理
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佐々木 亘
東邦大理
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渡部 道生
東大低温セ
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渡部 道生
理化学研究所半導体工学研究室
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佐々木 亘
東大理
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小森 文夫
東大
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武藤 準一郎
慶大理工
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伊藤 公平
慶大理工
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小森 文夫
東大理
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大塚 洋一
東大・理
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佐々木 亘
東大・理・物理
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松永 悟明
東大低温セ
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小林 俊一
理研
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池畑 誠一郎
東大理
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勝本 信吾
東大理
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勝本 信吾
東大物性研
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梶田 晃示
東邦大理
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小林 俊一
東大・理
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岩田 忠夫
原研先端基礎研
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楢原 良正
筑波大物理
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大木 秀一
筑波大物理:crest(jst)
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小中 信典
東大・理
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楢原 良正
筑波大 物理
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仲田 悟基
筑波大物理
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大木 秀一
東大低温センター
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小森 文夫
東大・理
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東大・理
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仲田 悟基
筑波大 物理
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河野 公俊
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大野 圭司
東京大学理学系研究科物理学 Crest-project(jst)
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清利 正弘
東大理
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得竹 陽一郎
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東大理
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水口 寛二
東大・理
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岩田 忠夫
原研
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東工大理工
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池上 敬一
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伊藤 新一郎
東大物性研
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後藤 貴行
東大理
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石井 裕司
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森 孝雄
東大理
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大野 圭司
東大理
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JRCAT-NAIR
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水谷 亘
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電総研
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斉田 繁彦
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大野 圭司
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棚橋 俊之
東大・理
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杉野 修
東大理
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寺井 章
東大理
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大塚 洋一
東大・理・物理
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松田 亮史
東大低温セ、CREST(JST)
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東大理
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中村 典雄
東大理
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東大理
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小林 俊一
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大川 龍郎
東大低温セ、CREST(JST)
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松田 亮史
東大理:crest(jst)
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東大低温セ
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東工大理
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小森 文夫
東大・理・物理
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大塚 洋一
東大 理
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〓 〓文
東大低温セ
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〓 畢文
東大低温セ
著作論文
- 28p-YG-3 常伝導細線の輸送現象における超伝導近接効果
- 27a-W-4 Si:Pの高磁場における磁化
- 硝酸黒鉛層間化合物の静帯磁率(基研短期研究計画『層状複合化合物の秩序化と乱れ-層間化合物,超伝導化合物,量子反強磁性体-』,研究会報告)
- 6a-C-6 HNO_3-GICの帯磁率
- 6p-B1-3 不純物半導体の静帯磁率
- 28a-Q-4 Si:Pの静帯磁率
- キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
- キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
- 30p-Q-10 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導 III
- 微細加工した微粒子膜の電気伝導
- 超伝導微粒子膜における超伝導-絶縁体転移
- 1a-B-10 Al微粒子のESRとNMR
- 24a-J-13 Fibonacci格子中を伝播する第3音波の透過係数(実験)
- 31p-BJ-11 極低温に於る高濃度 Ge:Sb の電気伝導
- 8a-B-3 極低温に於る不純物伝導-II-
- 3p-RM-7 高濃度型Si:Pの極低温電気伝導
- 27p-YG-1 微少2重トンネル接合系の磁気クローン振動
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- 12p-K-5 5.不純物半導体の実験
- 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
- 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
- 27a-HE-2 金属微粒子を用いた熱交換器の作製
- 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
- 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
- 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
- 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
- 1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
- 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
- 30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導
- 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
- 31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
- 2a-B-15 Siの不純物伝導に於る表面処理の効果
- 30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 27p-YG-5 単一電子トランジスターを用いた走査型電荷計の開発
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 27a-W-2 第3音波のアンダーソン局在I
- 3p-YE-13 金属微粒子を挟んだトンネル分光 1I
- N/S/N接合をもった微小ループの磁気抵抗 II
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 高濃度Si:Pの低温伝導
- 高濃度Si:Pの低温伝導
- 1a KH-12 極低温の不純物伝導
- 31p GD-3 極低温におけるSi:Pの磁気抵抗効果
- 3p-DS-10 極低温に於けるGe:Sbの磁気抵抗効果
- 7a-C-1 低温における乱れた糸
- 4p-U-3 極低温における不純物伝導
- 量子ホール効果状態の臨界電流
- 30p-N-12 量子ホール効果状態の電流分布
- 3p-YE-14 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導
- 1a-L4-3 Si:Pの静帯磁率(二)(低温(金属非金属転移))