大塚 洋一 | 東大理
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概要
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著作論文
- 3p-RM-7 高濃度型Si:Pの極低温電気伝導
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
- 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
- 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
- 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
- 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
- 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
- 1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
- 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
- 30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導
- 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
- 31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
- 30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
- 1a KH-12 極低温の不純物伝導
- 1p-L4-11 金属細線の電気伝導(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 30a-CQ-4 Ge : Sb,Si : Pの金属-非金属転移II(低温)
- 31a-B1-9 積層微粒子薄膜における金属・非金属転移(31a B1 低温)