岩田 忠夫 | 原研
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概要
関連著者
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岩田 忠夫
原研
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岩田 忠夫
原研先端基礎研
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仁平 猛
茨城大工
-
仁平 猛
茨大工
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佐々木 亘
東邦大理
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梶田 晃示
東邦大理
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岩瀬 彰宏
原研
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池畑 誠一郎
東大理
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松尾 秀人
原研
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佐々木 亙
東邦大理
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西尾 豊
東邦大理
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西尾 豊
東邦大・理
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佐々木 亙
東邦大学理学部
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佐々木 茂美
原研物理部
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梶田 晃示
東邦大・理
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鈴木 秀次
東大理
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藤田 英一
阪大基礎工
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堂山 昌男
東大工
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森 孝雄
東大理
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下斗米 道夫
東大工
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下斗米 道夫
東北工
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田次 邑吉
原研
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横田 光史
原研
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小林 俊一
東大理
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石川 法人
原研東海
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島津 佳弘
東大理
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島津 佳弘
東大理、金材研
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前田 裕司
原研・材料研究部
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佐々木 茂美
原研物理
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石川 法人
原研先端基礎
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岩瀬 彰宏
大阪府大院工
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前田 裕司
広島国際大
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大塚 洋一
東大低温センター
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前田 裕司
原研東海
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道上 修
岩手大
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清利 正弘
東大理
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佐々木 茂美
阪大基礎工
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小野 純夫
原研
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佐々木 亙
東邦大・理
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高橋 徹
東大工
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〓 浩二
NTT基礎研
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大塚 洋一
東大理
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藤田 英一
大阪大学 基礎工学科
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鈴木 秀次
原研
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石川 幸浩
東邦大 理
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佐々木 亘
東邦大・理
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桐生 道明
東邦大・理
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佐々木 亘
原研
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川面 澄
京都工繊大
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川面 澄
原研
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小林 俊一
東大・理
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大道 敏彦
原研
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小牧 研一郎
東大教養
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蕪木 英雄
原研情シス
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知見 康弘
原研東海
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高村 三郎
原研・物理
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吉崎 亮造
筑波大物理工
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岡本 冬樹
東大・理
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富満 広
原研
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荻原 清
理研
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福島 博
東大工
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小沢 国夫
原研
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吉崎 亮造
筑波大物理工:筑波大低温セ
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堂山 昌男
帝京科大
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小沢 国夫
原研東海
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岡本 冬樹
東大理
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池畑 誠一郎
東大・理
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添野 陽子
筑波大物理工
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戸田 陽子
東邦大 理
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木村 修
原研
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水谷 亘
JRCAT-NAIR
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水谷 亘
電総研
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扇野 豊
東大工
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高木 豊
名大工
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道上 修
岩手大学工学部
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八木 栄一
理研
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八木 栄一
理研:早大理工
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桐谷 道雄
阪大基礎工
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道上 修
NTT境界領域研究所(旧電子応用研究所)
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知見 康弘
日本原子力研究所
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藤田 英一
日本原子力研究所
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岩田 忠夫
原子力研
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木村 修
原子力研
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藤田 英一
原子力研
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鈴木 秀次
原子力研
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岩田 忠夫
日本原子力研究所
-
鈴木 秀次
日本原子力研究所
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高木 豊
原研
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富満 広
原研物理
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蕪木 英雄
原研
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土井 健治
原研
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岩田 忠夫
原研物理部
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寺井 章
東大理
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西尾 豊
東邦大 理
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佐久間 正行
東邦大 理
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梶田 晃示
東邦大 理
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佐々木 亘
東邦大 理
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佐々木 亘
東邦代理
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浦井 輝夫
理研
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知見 康弘
原研先端基礎
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鶴 浩二
NTT境界領域研
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〓 浩二
NTT境界領域研
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岩瀬 影宏
原研物理部
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佐籐 意子
東邦大・理
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梶田 晃示
原研
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家田 明
東大・理
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奥田 重雄
原研
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奥田 重雄
筑波大
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布施 元正
日立・エネ研
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岩田 忠夫
原研 茨大工
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仁平 猛
原研 茨大工
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道上 修
岩手大学
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布施 元正
日立エネ研
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八木 栄一
早大理工:理研
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家田 明
東大理物理
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石川 剛
東邦大・理
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石川 法人
原研
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石川 幸治
東邦大理
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戸田 陽子
東邦大理
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佐久間 正行
東邦大理
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佐藤 意子
東邦大・理
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知見 康弘
原研
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布施 元正
日立
著作論文
- 30p-QA-4 熱中性子照射をしたポリシランのESR
- 26aPS-7 ボロンドープしたグラファイトのSTM観測
- 4p-NJ-13 ガスを含んだボイドの焼鈍による消滅機構
- 4p-DQ-10 照射した黒鉛の電流磁気効果
- 低温照射した半導体の蓄積エネルギー(I)(格子欠陥)
- 黒鉛の格子間原子 : 格子欠陥
- 30p-T-3 欠陥を有するグラファイトにおける陽電子消滅
- 29p-T-3 補償されたSi:PのNMR III
- 26a-P-2 補償されたSi:PのNMR II
- 28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
- 27a-W-3 補償されたSi:PのNMR
- 2a-M-6 イオン照射したFCC金属における欠陥生成及び回復過程
- 11a-G-6 熱量測定法による重イオン阻止能の測定
- 1a-SG-2 重イオン照射によるNiの電気抵抗変化と欠陥生成率
- 3p-C-10 イオン照射によるAl, Ni, Auの電気抵抗変化と欠陥生成率
- 5p-NJ-3 等温発熱量測定による欠陥反応の研究
- 照射した黒鉛の電子エネルギー準位(格子欠陥)
- 9a-C-13 黒鉛の放射線損傷の回復
- 黒鉛中の空格子点によるXeの捕獲 : 格子欠陥
- 4p-WB-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-5
- 照射黒鉛の200℃附近の回復の熱測定 : 格子欠陥
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
- 6a-S-13 電子線低温照射した熱分解炭素の電流磁気効果
- 30p-L-7 EuBa_2Cu_3O_y薄膜における粒子線照射効果
- 15p-E-1 酸化物超伝導薄膜の結晶構造のイオン照射効果
- 25aSA-6 黒鉛の格子振動の温度依存性と比熱の計算
- 25aY-12 黒鉛中のボロンの格子内位置
- 29p-Z-7 Newton-Cotes式の繰り返し使用による一般多重積分の数値計算(応用数学・力学・流体物理)
- 25p-L-3 電子励起による金属中の欠陥生成
- 30p-TB-14 Si:Pの金属-非金属転移 III
- 4a-ZA-2 金属中の点欠陥の構造と運動
- 3p-ZE-13 Si:Pの金属一非金属転移II
- 6p-B1-5 中性子照射Si:Pの金属-非金属転移III
- 6p-B1-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率III
- 28a-Q-5 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率
- 30p-RB-8 Si: P補償系の金属-非金属転移
- 30p-RB-7 Si: P補償系の比熱
- 2a-M-9 活性化エネルギーに分布のあるAnnealingのKinetics
- 27a-H-12 はじき出しエネルギーの異方性の計算機シミュレーション
- 23p-N-11 Pyrolutic Graphite のイオン・チャネリング
- 2a-BJ-6 グラファイトの単一空孔の陽電子による研究
- 2a-M-2 照射した黒鉛の低温熱伝導度
- 5a-YB-2 中性子照射黒鉛のC軸方向の熱伝導度
- 3p-P-8 プロトン照射によるAl中の照射損傷生成率
- 4p-DQ-11 照射した黒鉛の熱伝導度 II 中性子照射
- 31p-BB-6 照射した黒鉛の熱伝導度 I. 低温電子照射
- 10p-N-4 電子照射した黒煙の蓄積エネルギーのDTA法による測定
- 30p-U-2 電子照射した黒鉛の熱伝導
- 30p-U-1 電子照射した黒鉛の低温熱回復
- 7p-E-5 電子照射黒鉛の欠陥生成のエネルギー・方向・温度依存性
- 10a-Q-2 黒鉛の点欠陥によるキャリア散乱の異方性
- 80°K電子照射黒鉛の蓄積エネルギーの放出 : 格子欠陥
- 10°K電子照射黒鉛の回復 : 格子欠陥
- 80°K電子照射黒鉛の電流電磁気効果 : 格子欠陥
- 15a-G-4 80°K電子照射黒鉛の回復 IV : a軸磁気抵抗
- 15a-G-3 80°K電子照射黒鉛の回復 III : a軸ホール係数
- 15a-G-2 80°K電子照射黒鉛の回復II : c軸電気抵抗
- 80°K電子照射黒鉛の回復 : 格子欠陥
- 1p-KH-3 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥
- 3p-C-4 NiAlの凍結空孔の示差走査熱量測定
- 3p-SG-2 グラファイトにおける鉄の固溶状態
- 3a-A-3 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥2
- 31p-BB-7 中性子照射した黒鉛の回復
- 2a-M-3 照射した黒鉛の蓄積エネルギー放出 II
- 5a-YB-3 中性子照射した黒鉛の蓄積エネルギー放出スペクトル
- J. Gittus: Irradiation Effects in Crystalline Solids, Applied Science Publishers, London, 1978, xxvi+523ページ, 25×16.5cm, 20,250円.
- 3a-M-13 極低温で中性子照射した黒鉛の格子常数
- 電子照射によるパイロ黒鉛中の原子変位 : 格子欠陥
- 黒鉛の放射線損傷
- 9a-C-12 黒鉛中の格子間原子の挙動
- 29p-LG-12 BCC金属中の格子間原子配位と原子間ポテンシャル関数の関係(格子欠陥)
- 1a-L4-1 補償Si:P系の比熱 II(低温(金属非金属転移))
- 1a-L4-2 補償Sl:P系の帯磁率(低温(金属非金属転移))
- 3p-D1-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-3(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
- 30p-FB-9 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-6(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
- 3p-D1-2 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-4(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
- 30p-SC-13 Si:Pの金属-非金属転移 : 磁気抵抗(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))
- 30p-SC-14 Si:Pの帯磁率(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))
- 30p-T-11 BCC金属における点欠陥生成の計算機シミュレーション(30pT 格子欠陥)
- 1a-L4-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率II(低温(金属非金属転移))
- 29p-FA-2 タンタル結晶中のはじき出し過程と格子間原子配位(29p FA 格子欠陥)