28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-03-12
著者
-
岩田 忠夫
原研先端基礎研
-
佐々木 亙
東邦大理
-
森 孝雄
東大理
-
島津 佳弘
東大理
-
池畑 誠一郎
東大理
-
佐々木 亘
東邦大理
-
佐々木 亙
東邦大学理学部
-
島津 佳弘
東大理、金材研
-
岩田 忠夫
原研
関連論文
- 3a-F-4 グラファイトの強磁場誘起電子相転移と非線型伝導
- 29a-X-1 グラファイトの強磁場誘起電子相転移とc軸伝導
- 29a-G-3 中性子照射したグラファイトの強磁場誘起電子相転移
- 29p-M-9 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の低温電子物性(II) : 超伝導の圧力依存性
- 30a-ZF-13 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(SCN)_2の低温電子物性(I) : 磁性と磁気抵抗
- 27p-Z-5 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2I_3の高圧、低温における磁気抵抗
- 2a-K-3 α-(BEDT-TTF)_2I_3の高圧下磁気抵抗
- 30p-QA-4 熱中性子照射をしたポリシランのESR
- 26aPS-7 ボロンドープしたグラファイトのSTM観測
- 4p-NJ-13 ガスを含んだボイドの焼鈍による消滅機構
- 4p-DQ-10 照射した黒鉛の電流磁気効果
- 1p-G-10 θ-(BEDT-TTF)_2I_3の高磁場電気伝導度
- 31p-G-13 有機伝導体の高磁場磁気抵抗(α-(BEDT-TTF)_2l_3他)
- 3p-M-12 ジグザグ分子配列を持つ有機伝導体の高磁場磁気抵抗
- 3p-M-8 θ-(BEDT-TTF)_2I_3のホール効果
- 5p-S4-11 【○!-】(BEDT-TTF)_2I_3の磁気抵抗と異方性
- 30p-T-3 欠陥を有するグラファイトにおける陽電子消滅
- 4a-S-6 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態II
- 31p-YJ-3 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の超伝導状態の磁気的応答について
- 29a-YJ-10 有機伝導体 α-(BEDT-TTF)_2I_3の磁気抵抗
- 28a-YJ-1 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態
- 14a-C-3 (DMe-DCNQI)2Cuの圧力下の電子状態IV
- 14a-C-2 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下の電子状態III
- 12a-C-5 有機伝導体α-(BEDT-TTF)_2I_3のホール効果と磁気抵抗
- 29p-T-3 補償されたSi:PのNMR III
- 1a-C-8 α-(BEDT-TTF)_2I_3の金属-絶縁体転移近傍における電気伝導度の異方性
- 26a-P-2 補償されたSi:PのNMR II
- 28a-J-11 DCNQI2Cu系の比熱
- 28a-J-9 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下のNMR
- 27a-K-3 α-(BEDT-TTF)_2I_3の金属-絶縁体転移近傍における電気伝導
- 28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
- 30p-M-13 DCNQI-Cu塩の帯磁率の圧力効果
- 30p-M-7 (DMe、DMeO-DCNQI)2Cu系の比熱
- 30a-M-7 有機伝導体のマイクロ波電気伝導〔4〕: α-(ET)_2I_3のM-I転移
- 27a-W-3 補償されたSi:PのNMR
- 2a-M-6 イオン照射したFCC金属における欠陥生成及び回復過程
- 11a-G-6 熱量測定法による重イオン阻止能の測定
- 1a-SG-2 重イオン照射によるNiの電気抵抗変化と欠陥生成率
- 3p-C-10 イオン照射によるAl, Ni, Auの電気抵抗変化と欠陥生成率
- 5p-NJ-3 等温発熱量測定による欠陥反応の研究
- 照射した黒鉛の電子エネルギー準位(格子欠陥)
- 9a-C-13 黒鉛の放射線損傷の回復
- 黒鉛中の空格子点によるXeの捕獲 : 格子欠陥
- 4p-WB-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-5
- 照射黒鉛の200℃附近の回復の熱測定 : 格子欠陥
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
- 6a-S-13 電子線低温照射した熱分解炭素の電流磁気効果
- 電子線低温照射した熱分解黒鉛の負の磁気抵抗
- 30p-L-7 EuBa_2Cu_3O_y薄膜における粒子線照射効果
- 15p-E-1 酸化物超伝導薄膜の結晶構造のイオン照射効果
- 25aSA-6 黒鉛の格子振動の温度依存性と比熱の計算
- 25aY-12 黒鉛中のボロンの格子内位置
- 29p-Z-7 Newton-Cotes式の繰り返し使用による一般多重積分の数値計算(応用数学・力学・流体物理)
- 30p-TB-14 Si:Pの金属-非金属転移 III
- 4a-ZA-2 金属中の点欠陥の構造と運動
- 3p-ZE-13 Si:Pの金属一非金属転移II
- 6p-B1-5 中性子照射Si:Pの金属-非金属転移III
- 6p-B1-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率III
- 28a-Q-5 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率
- 30p-RB-8 Si: P補償系の金属-非金属転移
- 30p-RB-7 Si: P補償系の比熱
- 2a-M-9 活性化エネルギーに分布のあるAnnealingのKinetics
- 超伝導体における磁束の侵入磁場と排出磁場(表面バリヤ)の決定
- YBCOの磁化および磁気熱量効果の測定と表面バリヤ
- 27a-H-12 はじき出しエネルギーの異方性の計算機シミュレーション
- 23p-N-11 Pyrolutic Graphite のイオン・チャネリング
- 2a-BJ-6 グラファイトの単一空孔の陽電子による研究
- 2a-M-2 照射した黒鉛の低温熱伝導度
- 6a-S4-2 ((CH_3)_4N)(Ni(dmit)_2)_2のESR
- 6a-S4-1 ((CH_3)_4N)(Ni(dmit)_2)_2の特異な電気伝導
- 24p-ZA-5 (DMe, DMeO-DCNQI)_2CuおよびMeBr混晶系の比熱
- Si:Pの金属-非金属転移IV
- 3p-K-5 有機伝導体の比熱I
- 2a-K-4 有機伝導体のマイクロ波電気伝導〔I〕
- 31p-G-6 (DMe, DMeO-DCNQI)_2Cu系の比熱
- 3p-M-4 DCNQI-Cu系の低温構造と圧力下の電導性
- 5p-Y-1 La_2CuO_4型高温超伝導体に関するPb添加の効果
- 5p-PS-74 (La_Pb_x)_2,CuO_4のホール効果
- 渋谷元一さんを偲ぶ
- 2a-B-1 二次元古典電子系の電気伝導-II
- 5a-YB-2 中性子照射黒鉛のC軸方向の熱伝導度
- 3p-P-8 プロトン照射によるAl中の照射損傷生成率
- 4p-DQ-11 照射した黒鉛の熱伝導度 II 中性子照射
- 31p-BB-6 照射した黒鉛の熱伝導度 I. 低温電子照射
- 30p-U-2 電子照射した黒鉛の熱伝導
- 30p-U-1 電子照射した黒鉛の低温熱回復
- 7p-E-5 電子照射黒鉛の欠陥生成のエネルギー・方向・温度依存性
- 10a-Q-2 黒鉛の点欠陥によるキャリア散乱の異方性
- 80°K電子照射黒鉛の蓄積エネルギーの放出 : 格子欠陥
- 10°K電子照射黒鉛の回復 : 格子欠陥
- 80°K電子照射黒鉛の電流電磁気効果 : 格子欠陥
- 15a-G-4 80°K電子照射黒鉛の回復 IV : a軸磁気抵抗
- 15a-G-3 80°K電子照射黒鉛の回復 III : a軸ホール係数
- 15a-G-2 80°K電子照射黒鉛の回復II : c軸電気抵抗
- 80°K電子照射黒鉛の回復 : 格子欠陥
- 29p-ZF-4 有機伝導体のマイクロ波電気伝導〔3〕
- 1p-KH-3 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥
- 3p-C-4 NiAlの凍結空孔の示差走査熱量測定
- 3p-SG-2 グラファイトにおける鉄の固溶状態