6p-B1-5 中性子照射Si:Pの金属-非金属転移III
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
23aGT-7 磁場誘起有機超伝導体λ-(BETS)_2FeCl_4におけるFeと伝導電子の奇妙な関係(23aGT 領域7,領域3,領域6,領域8合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
-
23aGT-7 磁場誘起有機超伝導体λ-(BETS)_2FeCl_4におけるFeと伝導電子の奇妙な関係(23aGT 領域7,領域3,領域6,領域8合同招待講演,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
3a-F-4 グラファイトの強磁場誘起電子相転移と非線型伝導
-
29a-X-1 グラファイトの強磁場誘起電子相転移とc軸伝導
-
29a-G-3 中性子照射したグラファイトの強磁場誘起電子相転移
-
30p-QA-4 熱中性子照射をしたポリシランのESR
-
26aPS-7 ボロンドープしたグラファイトのSTM観測
-
4p-NJ-13 ガスを含んだボイドの焼鈍による消滅機構
-
4p-DQ-10 照射した黒鉛の電流磁気効果
-
1p-G-10 θ-(BEDT-TTF)_2I_3の高磁場電気伝導度
-
30p-T-3 欠陥を有するグラファイトにおける陽電子消滅
-
Sm_3Se_4の低温比熱(IX. Sm_3Se_4の物性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
-
Sm_3Se_4の磁性と伝導(IX. Sm_3Se_4の物性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
-
CeB_6の低温比熱(II. CeB_6の特性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
-
4a-S-6 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態II
-
28a-YJ-1 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態
-
29p-T-3 補償されたSi:PのNMR III
-
26a-P-2 補償されたSi:PのNMR II
-
28a-J-11 DCNQI2Cu系の比熱
-
28a-J-9 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下のNMR
-
28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
-
30p-M-13 DCNQI-Cu塩の帯磁率の圧力効果
-
27a-W-3 補償されたSi:PのNMR
-
2a-M-6 イオン照射したFCC金属における欠陥生成及び回復過程
-
11a-G-6 熱量測定法による重イオン阻止能の測定
-
1a-SG-2 重イオン照射によるNiの電気抵抗変化と欠陥生成率
-
3p-C-10 イオン照射によるAl, Ni, Auの電気抵抗変化と欠陥生成率
-
29a-M-5 Si:Pの希釈冷凍機温度域におけるNMR
-
5p-NJ-3 等温発熱量測定による欠陥反応の研究
-
24p-ZA-9 (MeCl-DCNQI)_2CuのCuのNMR
-
照射した黒鉛の電子エネルギー準位(格子欠陥)
-
9a-C-13 黒鉛の放射線損傷の回復
-
黒鉛中の空格子点によるXeの捕獲 : 格子欠陥
-
4p-WB-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-5
-
照射黒鉛の200℃附近の回復の熱測定 : 格子欠陥
-
13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
-
12p-K-5 5.不純物半導体の実験
-
14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
-
30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
-
27a-HE-2 金属微粒子を用いた熱交換器の作製
-
29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
-
2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
-
2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
-
1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
-
1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
-
1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
-
30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導
-
6a-S-13 電子線低温照射した熱分解炭素の電流磁気効果
-
電子線低温照射した熱分解黒鉛の負の磁気抵抗
-
30p-L-7 EuBa_2Cu_3O_y薄膜における粒子線照射効果
-
15p-E-1 酸化物超伝導薄膜の結晶構造のイオン照射効果
-
25aSA-6 黒鉛の格子振動の温度依存性と比熱の計算
-
25aY-12 黒鉛中のボロンの格子内位置
-
29p-Z-7 Newton-Cotes式の繰り返し使用による一般多重積分の数値計算(応用数学・力学・流体物理)
-
30p-TB-14 Si:Pの金属-非金属転移 III
-
4a-ZA-2 金属中の点欠陥の構造と運動
-
3p-ZE-13 Si:Pの金属一非金属転移II
-
6p-B1-5 中性子照射Si:Pの金属-非金属転移III
-
6p-B1-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率III
-
28a-Q-5 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率
-
30p-RB-8 Si: P補償系の金属-非金属転移
-
30p-RB-7 Si: P補償系の比熱
-
2a-M-9 活性化エネルギーに分布のあるAnnealingのKinetics
-
超伝導体における磁束の侵入磁場と排出磁場(表面バリヤ)の決定
-
YBCOの磁化および磁気熱量効果の測定と表面バリヤ
-
27a-H-12 はじき出しエネルギーの異方性の計算機シミュレーション
-
23p-N-11 Pyrolutic Graphite のイオン・チャネリング
-
28a-K-9 DCNQI-Cu系の強磁場下における金属-非金属転移
-
27pYL-4 電荷移動型錯体ビフェロセンNi(mnt)_2における熱的測定(τ-型, および各種相転移,領域7(分子性固体・有機導体))
-
28pWG-12 ビフェロセンF_nTCNQ系錯体における電荷移動型相転移の比熱(方法論・NI系・他)(領域7)
-
2a-BJ-6 グラファイトの単一空孔の陽電子による研究
-
2a-M-2 照射した黒鉛の低温熱伝導度
-
31p-G-6 (DMe, DMeO-DCNQI)_2Cu系の比熱
-
5a-YB-2 中性子照射黒鉛のC軸方向の熱伝導度
-
3p-P-8 プロトン照射によるAl中の照射損傷生成率
-
4p-DQ-11 照射した黒鉛の熱伝導度 II 中性子照射
-
31p-BB-6 照射した黒鉛の熱伝導度 I. 低温電子照射
-
30p-U-2 電子照射した黒鉛の熱伝導
-
30p-U-1 電子照射した黒鉛の低温熱回復
-
7p-E-5 電子照射黒鉛の欠陥生成のエネルギー・方向・温度依存性
-
10a-Q-2 黒鉛の点欠陥によるキャリア散乱の異方性
-
80°K電子照射黒鉛の蓄積エネルギーの放出 : 格子欠陥
-
10°K電子照射黒鉛の回復 : 格子欠陥
-
80°K電子照射黒鉛の電流電磁気効果 : 格子欠陥
-
15a-G-4 80°K電子照射黒鉛の回復 IV : a軸磁気抵抗
-
15a-G-3 80°K電子照射黒鉛の回復 III : a軸ホール係数
-
15a-G-2 80°K電子照射黒鉛の回復II : c軸電気抵抗
-
80°K電子照射黒鉛の回復 : 格子欠陥
-
1p-KH-3 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥
-
3p-C-4 NiAlの凍結空孔の示差走査熱量測定
-
3p-SG-2 グラファイトにおける鉄の固溶状態
-
29a-YJ-11 α-(BEDT-TTF)_2I_3における磁場誘起絶縁体転移と伝導度の異方性 II
-
28a-YJ-2 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下の電子状態 VI
-
29p-YS-13 DCNQI-Cu系の比熱
-
28p-ZF-8 混合原子価銅錯体DCNQI-Cu系の構造と物性IV : 混晶化および加圧に伴う物性変化
-
1a-L4-1 補償Si:P系の比熱 II(低温(金属非金属転移))
-
1a-L4-2 補償Sl:P系の帯磁率(低温(金属非金属転移))
-
30p-SC-13 Si:Pの金属-非金属転移 : 磁気抵抗(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))
-
28p-P-12 k-(BEDT-TTF)_2I_3のESR(28pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(BEDT-TTF塩))
-
30p-LB-6 Si:P補償系の金属-非金属転移II(低温)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク