28p-P-12 k-(BEDT-TTF)_2I_3のESR(28pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(BEDT-TTF塩))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1989-03-28
著者
-
西尾 豊
東邦大・理
-
小林 速男
東邦大・理
-
小林 昭子
東大・理
-
梶田 晃示
東邦大・理
-
加藤 礼三
東邦大・理
-
佐々木 亘
東邦大・理
-
宮代 俊明
東邦大理
-
宮代 竣明
東邦大・理
-
弓 恵子
東邦大・理
関連論文
- 23aGT-7 磁場誘起有機超伝導体λ-(BETS)_2FeCl_4におけるFeと伝導電子の奇妙な関係(23aGT 領域7,領域3,領域6,領域8合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aGT-7 磁場誘起有機超伝導体λ-(BETS)_2FeCl_4におけるFeと伝導電子の奇妙な関係(23aGT 領域7,領域3,領域6,領域8合同招待講演,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 4a-P-14 複核白金混合原子価錯体の物性(II)
- 30p-M-8 (R_1, R_2-DCNQI)_2CuにおけるXAFS測定(III)
- 28p-ZF-9 (R_1,R_2-DCNQI)_2CuにおけるXAFS測定(II)
- 1p-G-10 θ-(BEDT-TTF)_2I_3の高磁場電気伝導度
- 28a-J-11 DCNQI2Cu系の比熱
- 28p-ZF-7 混合原子価銅錯体DCNQI-Cu系の構造と物性III : (MeBr-DCNQI)_2CuのESRと低温構
- 12p-K-5 5.不純物半導体の実験
- 30p-TB-14 Si:Pの金属-非金属転移 III
- 3p-ZE-13 Si:Pの金属一非金属転移II
- 6p-B1-5 中性子照射Si:Pの金属-非金属転移III
- 28a-K-9 DCNQI-Cu系の強磁場下における金属-非金属転移
- 27pYL-4 電荷移動型錯体ビフェロセンNi(mnt)_2における熱的測定(τ-型, および各種相転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pWG-12 ビフェロセンF_nTCNQ系錯体における電荷移動型相転移の比熱(方法論・NI系・他)(領域7)
- 6a-S4-2 ((CH_3)_4N)(Ni(dmit)_2)_2のESR
- 25p-K-13 有機超伝導体β-[(CH_3)_4N][Pb(dmit)_2]_2の絶縁層
- 31p-G-6 (DMe, DMeO-DCNQI)_2Cu系の比熱
- 31p-P-1 β-(BEDT-TTF)_2I_3および混晶系の結晶構造の温度変化
- 29a-YJ-11 α-(BEDT-TTF)_2I_3における磁場誘起絶縁体転移と伝導度の異方性 II
- 28a-YJ-2 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下の電子状態 VI
- 29p-YS-13 DCNQI-Cu系の比熱
- 30a-M-13 超伝導体β-[(CH_3)_4N][Pd(dmit)_2]_2の圧力-相図
- 29p-M-2 κ-MT_2Au(CN)_2の金属-絶縁体転移
- 30a-ZF-8 BEDT-TTF類似分子BEDT-TSF(BETS)およびBEDT-STF(STF)分子に基づく新分子性金属
- 28p-ZF-8 混合原子価銅錯体DCNQI-Cu系の構造と物性IV : 混晶化および加圧に伴う物性変化
- 31p-C-4 DCNQI-Cu系の絶縁化転移と伝導性
- 25p-K-12 新超伝導体[(CH_3)_(C_2H_5)_2N][Pb(dmit)_2]_2
- 2p-G4-6 VT2PF6, VT2C104のESR
- 1a-L4-1 補償Si:P系の比熱 II(低温(金属非金属転移))
- 1a-L4-2 補償Sl:P系の帯磁率(低温(金属非金属転移))
- 30p-SC-13 Si:Pの金属-非金属転移 : 磁気抵抗(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))
- 28p-P-12 k-(BEDT-TTF)_2I_3のESR(28pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(BEDT-TTF塩))
- 30p-LB-6 Si:P補償系の金属-非金属転移II(低温)