30p-SC-13 Si:Pの金属-非金属転移 : 磁気抵抗(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1989-03-28

著者

• 西尾 豊

  東邦大・理

• 梶田 晃示

  東邦大・理

• 佐々木 亘

  東邦大・理

• 岩田 忠夫

  原研

• 桐生 道明

  東邦大・理

• 佐藤 意子

  東邦大・理

関連論文

• 23aGT-7 磁場誘起有機超伝導体λ-(BETS)_2FeCl_4におけるFeと伝導電子の奇妙な関係(23aGT 領域7,領域3,領域6,領域8合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aGT-7 磁場誘起有機超伝導体λ-(BETS)_2FeCl_4におけるFeと伝導電子の奇妙な関係(23aGT 領域7,領域3,領域6,領域8合同招待講演,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 30p-QA-4 熱中性子照射をしたポリシランのESR
• 26aPS-7 ボロンドープしたグラファイトのSTM観測
• 4p-NJ-13 ガスを含んだボイドの焼鈍による消滅機構
• 4p-DQ-10 照射した黒鉛の電流磁気効果
• 低温照射した半導体の蓄積エネルギー(I)(格子欠陥)
• 黒鉛の格子間原子 : 格子欠陥
• 1p-G-10 θ-(BEDT-TTF)_2I_3の高磁場電気伝導度
• 30p-T-3 欠陥を有するグラファイトにおける陽電子消滅
• 29p-T-3 補償されたSi:PのNMR III
• 26a-P-2 補償されたSi:PのNMR II
• 28a-J-11 DCNQI2Cu系の比熱
• 28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
• 27a-W-3 補償されたSi:PのNMR
• 2a-M-6 イオン照射したFCC金属における欠陥生成及び回復過程
• 11a-G-6 熱量測定法による重イオン阻止能の測定
• 1a-SG-2 重イオン照射によるNiの電気抵抗変化と欠陥生成率
• 3p-C-10 イオン照射によるAl, Ni, Auの電気抵抗変化と欠陥生成率
• 5p-NJ-3 等温発熱量測定による欠陥反応の研究
• 照射した黒鉛の電子エネルギー準位(格子欠陥)
• 9a-C-13 黒鉛の放射線損傷の回復
• 黒鉛中の空格子点によるXeの捕獲 : 格子欠陥
• 4p-WB-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-5
• 照射黒鉛の200℃附近の回復の熱測定 : 格子欠陥
• 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
• 12p-K-5 5.不純物半導体の実験
• 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
• 6a-S-13 電子線低温照射した熱分解炭素の電流磁気効果
• 30p-L-7 EuBa_2Cu_3O_y薄膜における粒子線照射効果
• 15p-E-1 酸化物超伝導薄膜の結晶構造のイオン照射効果
• 25aSA-6 黒鉛の格子振動の温度依存性と比熱の計算
• 25aY-12 黒鉛中のボロンの格子内位置
• 29p-Z-7 Newton-Cotes式の繰り返し使用による一般多重積分の数値計算(応用数学・力学・流体物理)
• 25p-L-3 電子励起による金属中の欠陥生成
• 30p-TB-14 Si:Pの金属-非金属転移 III
• 4a-ZA-2 金属中の点欠陥の構造と運動
• 3p-ZE-13 Si:Pの金属一非金属転移II
• 6p-B1-5 中性子照射Si:Pの金属-非金属転移III
• 6p-B1-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率III
• 28a-Q-5 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率
• 30p-RB-8 Si: P補償系の金属-非金属転移
• 30p-RB-7 Si: P補償系の比熱
• 2a-M-9 活性化エネルギーに分布のあるAnnealingのKinetics
• 27a-H-12 はじき出しエネルギーの異方性の計算機シミュレーション
• 23p-N-11 Pyrolutic Graphite のイオン・チャネリング
• 28a-K-9 DCNQI-Cu系の強磁場下における金属-非金属転移
• 27pYL-4 電荷移動型錯体ビフェロセンNi(mnt)_2における熱的測定(τ-型, および各種相転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pWG-12 ビフェロセンF_nTCNQ系錯体における電荷移動型相転移の比熱(方法論・NI系・他)(領域7)
• 2a-BJ-6 グラファイトの単一空孔の陽電子による研究
• 2a-M-2 照射した黒鉛の低温熱伝導度
• 31p-G-6 (DMe, DMeO-DCNQI)_2Cu系の比熱
• 5a-YB-2 中性子照射黒鉛のC軸方向の熱伝導度
• 3p-P-8 プロトン照射によるAl中の照射損傷生成率
• 4p-DQ-11 照射した黒鉛の熱伝導度 II 中性子照射
• 31p-BB-6 照射した黒鉛の熱伝導度 I. 低温電子照射
• 10p-N-4 電子照射した黒煙の蓄積エネルギーのDTA法による測定
• 30p-U-2 電子照射した黒鉛の熱伝導
• 30p-U-1 電子照射した黒鉛の低温熱回復
• 7p-E-5 電子照射黒鉛の欠陥生成のエネルギー・方向・温度依存性
• 10a-Q-2 黒鉛の点欠陥によるキャリア散乱の異方性
• 80°K電子照射黒鉛の蓄積エネルギーの放出 : 格子欠陥
• 10°K電子照射黒鉛の回復 : 格子欠陥
• 80°K電子照射黒鉛の電流電磁気効果 : 格子欠陥
• 15a-G-4 80°K電子照射黒鉛の回復 IV : a軸磁気抵抗
• 15a-G-3 80°K電子照射黒鉛の回復 III : a軸ホール係数
• 15a-G-2 80°K電子照射黒鉛の回復II : c軸電気抵抗
• 80°K電子照射黒鉛の回復 : 格子欠陥
• 1p-KH-3 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥
• 3p-C-4 NiAlの凍結空孔の示差走査熱量測定
• 3p-SG-2 グラファイトにおける鉄の固溶状態
• 29a-YJ-11 α-(BEDT-TTF)_2I_3における磁場誘起絶縁体転移と伝導度の異方性 II
• 28a-YJ-2 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下の電子状態 VI
• 29p-YS-13 DCNQI-Cu系の比熱
• 28p-ZF-8 混合原子価銅錯体DCNQI-Cu系の構造と物性IV : 混晶化および加圧に伴う物性変化
• 3a-A-3 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥2
• 31p-BB-7 中性子照射した黒鉛の回復
• 2a-M-3 照射した黒鉛の蓄積エネルギー放出 II
• 5a-YB-3 中性子照射した黒鉛の蓄積エネルギー放出スペクトル
• J. Gittus: Irradiation Effects in Crystalline Solids, Applied Science Publishers, London, 1978, xxvi+523ページ, 25×16.5cm, 20,250円.
• 3a-M-13 極低温で中性子照射した黒鉛の格子常数
• 電子照射によるパイロ黒鉛中の原子変位 : 格子欠陥
• 黒鉛の放射線損傷
• 9a-C-12 黒鉛中の格子間原子の挙動
• 29p-LG-12 BCC金属中の格子間原子配位と原子間ポテンシャル関数の関係(格子欠陥)
• 1a-L4-1 補償Si:P系の比熱 II(低温(金属非金属転移))
• 1a-L4-2 補償Sl:P系の帯磁率(低温(金属非金属転移))
• 3p-D1-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-3(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
• 30p-FB-9 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-6(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 3p-D1-2 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-4(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
• 30p-SC-13 Si:Pの金属-非金属転移 : 磁気抵抗(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))
• 28p-P-12 k-(BEDT-TTF)_2I_3のESR(28pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(BEDT-TTF塩))
• 30p-LB-6 Si:P補償系の金属-非金属転移II(低温)
• 30p-SC-14 Si:Pの帯磁率(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))
• 30p-T-11 BCC金属における点欠陥生成の計算機シミュレーション(30pT 格子欠陥)
• 1a-L4-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率II(低温(金属非金属転移))
• 29p-FA-2 タンタル結晶中のはじき出し過程と格子間原子配位(29p FA 格子欠陥)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク