30p-T-11 BCC金属における点欠陥生成の計算機シミュレーション(30pT 格子欠陥)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1989-03-28

著者

• 田次 邑吉

  原研

• 横田 光史

  原研

• 岩田 忠夫

  原研

• 布施 元正

  日立

関連論文

• 30p-QA-4 熱中性子照射をしたポリシランのESR
• 26aPS-7 ボロンドープしたグラファイトのSTM観測
• 4p-NJ-13 ガスを含んだボイドの焼鈍による消滅機構
• 4p-DQ-10 照射した黒鉛の電流磁気効果
• 低温照射した半導体の蓄積エネルギー(I)(格子欠陥)
• 黒鉛の格子間原子 : 格子欠陥
• 30p-T-3 欠陥を有するグラファイトにおける陽電子消滅
• 29p-T-3 補償されたSi:PのNMR III
• 26a-P-2 補償されたSi:PのNMR II
• 28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
• 27a-W-3 補償されたSi:PのNMR
• 2a-M-6 イオン照射したFCC金属における欠陥生成及び回復過程
• 11a-G-6 熱量測定法による重イオン阻止能の測定
• 1a-SG-2 重イオン照射によるNiの電気抵抗変化と欠陥生成率
• 3p-C-10 イオン照射によるAl, Ni, Auの電気抵抗変化と欠陥生成率
• 5p-NJ-3 等温発熱量測定による欠陥反応の研究
• 4p-NJ-11 照射損傷の深さ分布の計算機シミュレーション
• 照射した黒鉛の電子エネルギー準位(格子欠陥)
• 9a-C-13 黒鉛の放射線損傷の回復
• 黒鉛中の空格子点によるXeの捕獲 : 格子欠陥
• 4p-WB-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-5
• 5a-K-9 1次元フェルミ粒子系の転送行列法による計算
• 照射黒鉛の200℃附近の回復の熱測定 : 格子欠陥
• 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
• 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
• 6a-S-13 電子線低温照射した熱分解炭素の電流磁気効果
• 30p-L-7 EuBa_2Cu_3O_y薄膜における粒子線照射効果
• 15p-E-1 酸化物超伝導薄膜の結晶構造のイオン照射効果
• 25aSA-6 黒鉛の格子振動の温度依存性と比熱の計算
• 25aY-12 黒鉛中のボロンの格子内位置
• 29p-Z-7 Newton-Cotes式の繰り返し使用による一般多重積分の数値計算(応用数学・力学・流体物理)
• 25p-L-3 電子励起による金属中の欠陥生成
• 30p-TB-14 Si:Pの金属-非金属転移 III
• 4a-ZA-2 金属中の点欠陥の構造と運動
• 3p-ZE-13 Si:Pの金属一非金属転移II
• 6p-B1-5 中性子照射Si:Pの金属-非金属転移III
• 6p-B1-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率III
• 28a-Q-5 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率
• 30p-RB-8 Si: P補償系の金属-非金属転移
• 30p-RB-7 Si: P補償系の比熱
• 2a-M-9 活性化エネルギーに分布のあるAnnealingのKinetics
• 時間粗視化法による非平衡濃密ガスに対する新しい運動理論(基研短期研究会「数理物理学における非線形問題」,研究会報告)
• 27a-K-7 高エネルギーカスケード損傷における電子バーストの寄与
• 24a-H-4 亜鈴状分子流体における角運動量輸送
• 30a-TM-8 時間粗視化による運動量移行の統計的記述
• 5a-D5-1 多原子分子ガスの運動論について
• 13a-M-13 開放部分系の運動理論
• 27a-H-12 はじき出しエネルギーの異方性の計算機シミュレーション
• 30p-SB-28 気体の統計力学
• 31a-R-10 希薄ガスの統計力学
• 31a-W-5 運動方程式の理論 : 巨視量と巨視的時間
• 29a-R-5 濃密ガスの非等方輸送理論
• 4a-P-7 非中心力相互作用による空孔の安定性
• 2a GR-2 非等方輸送を考慮した高密度ガスの運動方程式
• 非等方輸送の効果を含んだボルツマン方程式(基研長期研究計画「非線型・非平衡状態の統計力学」,研究会報告)
• 31a-LG-12 ボルツマン方程式における巨視量
• 10p-A-1 非等方輸送過程を含んだボルツマン方程式
• 非等方運動量交換により生ずる平均力場を持ったボルツマン方程式(非線型・非平衡状態の統計力学,研究会報告)
• 23p-N-11 Pyrolutic Graphite のイオン・チャネリング
• 2a-BJ-6 グラファイトの単一空孔の陽電子による研究
• 2a-M-2 照射した黒鉛の低温熱伝導度
• 5a-YB-2 中性子照射黒鉛のC軸方向の熱伝導度
• 3p-P-8 プロトン照射によるAl中の照射損傷生成率
• 4p-DQ-11 照射した黒鉛の熱伝導度 II 中性子照射
• 31p-BB-6 照射した黒鉛の熱伝導度 I. 低温電子照射
• 10p-N-4 電子照射した黒煙の蓄積エネルギーのDTA法による測定
• 30p-U-2 電子照射した黒鉛の熱伝導
• 30p-U-1 電子照射した黒鉛の低温熱回復
• 7p-E-5 電子照射黒鉛の欠陥生成のエネルギー・方向・温度依存性
• 10a-Q-2 黒鉛の点欠陥によるキャリア散乱の異方性
• 80°K電子照射黒鉛の蓄積エネルギーの放出 : 格子欠陥
• 10°K電子照射黒鉛の回復 : 格子欠陥
• 80°K電子照射黒鉛の電流電磁気効果 : 格子欠陥
• 15a-G-4 80°K電子照射黒鉛の回復 IV : a軸磁気抵抗
• 15a-G-3 80°K電子照射黒鉛の回復 III : a軸ホール係数
• 15a-G-2 80°K電子照射黒鉛の回復II : c軸電気抵抗
• 80°K電子照射黒鉛の回復 : 格子欠陥
• 27p-X-15 ランダム磁場中のTransverse Ising Modelの相転移
• 1p-KH-3 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥
• 3p-C-4 NiAlの凍結空孔の示差走査熱量測定
• 3p-SG-2 グラファイトにおける鉄の固溶状態
• 5p-S-6 横磁場中の無限レンジイジングスピングラス模型に対するペア近似
• 3a-A-3 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥2
• 31p-BB-7 中性子照射した黒鉛の回復
• 2a-M-3 照射した黒鉛の蓄積エネルギー放出 II
• 5a-YB-3 中性子照射した黒鉛の蓄積エネルギー放出スペクトル
• J. Gittus: Irradiation Effects in Crystalline Solids, Applied Science Publishers, London, 1978, xxvi+523ページ, 25×16.5cm, 20,250円.
• 3a-M-13 極低温で中性子照射した黒鉛の格子常数
• 電子照射によるパイロ黒鉛中の原子変位 : 格子欠陥
• 黒鉛の放射線損傷
• 9a-C-12 黒鉛中の格子間原子の挙動
• 29p-LG-12 BCC金属中の格子間原子配位と原子間ポテンシャル関数の関係(格子欠陥)
• 1a-L4-1 補償Si:P系の比熱 II(低温(金属非金属転移))
• 1a-L4-2 補償Sl:P系の帯磁率(低温(金属非金属転移))
• 3p-D1-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-3(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
• 30p-FB-9 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-6(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 3p-D1-2 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-4(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
• 30p-SC-13 Si:Pの金属-非金属転移 : 磁気抵抗(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))
• 30p-T-11 BCC金属における点欠陥生成の計算機シミュレーション(30pT 格子欠陥)
• 29p-FA-2 タンタル結晶中のはじき出し過程と格子間原子配位(29p FA 格子欠陥)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク