CeB_6の低温比熱(II. CeB_6の特性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。
- 物性研究刊行会の論文
- 1982-02-20
著者
関連論文
- 5a-W-14 簡単に作れる安定したSQUID
- 12a-M-7 Cu-Ni合金微粒子のsuperparamagnetism
- ジャーナルの論文をよくするために
- 大学院における研究・教育の現状と問題点
- 日仏コロッキューム1979
- 磁束量子化
- Journalの論文の閲読と編集をめぐって
- Journalの長期対策について : Journalの長期対策
- 半導体実験(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
- Journalの頁増をめぐって
- Digital Voltmeter
- D.K.C.MacDonald: Thermoelectricity, J.Wiley & Sons, Inc., New York・London 1962, 133頁, 15×22cm, \2,600.
- Roobert R.Heikes and Roland W.Ure, Jr.Ed.: Thermoelectricity Science and Engineering, Interscience Publishers, New York-London, 1961, 576頁, 15×23cm.
- Paul H.Egli ed: Thermoelectricity, John Wiley and Sons, Inc., New York and London 1960, 407頁, 15×23cm.
- 半導体実験
- 30p-B-10 CeB_6の低温比熱
- 30p-B-2 Sm_3Se_4の低温比熱
- Sm_3Se_4の低温比熱(IX. Sm_3Se_4の物性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
- Sm_3Se_4の磁性と伝導(IX. Sm_3Se_4の物性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
- CeB_6の低温比熱(II. CeB_6の特性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
- 高不純物濃度Geのρ, R_Hの温度変化 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
- 4a-S-6 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態II
- 28a-YJ-1 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態
- 29p-T-3 補償されたSi:PのNMR III
- 26a-P-2 補償されたSi:PのNMR II
- 28a-J-9 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下のNMR
- 28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
- 30p-M-13 DCNQI-Cu塩の帯磁率の圧力効果
- 27a-W-3 補償されたSi:PのNMR
- 29a-M-5 Si:Pの希釈冷凍機温度域におけるNMR
- 24p-ZA-9 (MeCl-DCNQI)_2CuのCuのNMR
- 4p-WB-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-5
- 3p-DS-12 Si:Pのホッピング伝導
- 固体物理の教科書について
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- 12p-K-5 5.不純物半導体の実験
- 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
- 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
- 27a-HE-2 金属微粒子を用いた熱交換器の作製
- 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
- 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
- 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
- 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
- 1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
- 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
- 30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導
- 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
- 31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
- 30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
- 6p-B1-5 中性子照射Si:Pの金属-非金属転移III
- 30p-RB-8 Si: P補償系の金属-非金属転移
- 30p-RB-7 Si: P補償系の比熱
- 31a KH-6 高磁場中の超伝導微粒子
- 5a-AB-8 超伝導Al微粒子の臨界磁場
- 31a-BC-5 超伝導Al微粒子のZeerman効果
- 6a-K-4 補償度の高い不純物半導体(Ge)-Band Tail-
- 6p-KH-11 CdSの共鳴ラマン効果
- 12p-P-6 超伝導微粒子のNMR : 磁場依存性
- 22p-T-3 超伝導微粒子の核磁気共鳴
- 6a-N-11 Al微粒子の核磁気緩和
- 8p-H-5 金属微粒子Al^の核磁気緩和
- 8p-H-4 Al微粒子のKnight Shift
- 4a-N-10 シリコンのピエゾ抵抗効果(II)
- 18a-A-13 シリコンのピエゾ抵抗効果
- n型シリコンのピエゾ抵抗効果(II) : 半導体(不純物伝導)
- 3p-H-4 超流動^4He薄膜の非線型波の実験 III
- 30a-L-7 超流動^4He薄膜のK-T転移
- 2p-Q-5 He膜の非線型波の実験II
- 2a KH-8 ヘリウム膜上の電子と第3音波
- 3p-BK-2 ヘリウム液面上の2次元電子系(III)
- 1p-BC-7 ヘリウム液面上の2次元電子系(II)
- 11a-S-4 ヘリウム液面上の二次元電子
- 1°K付近のピエゾ抵抗効果II : 半導体(不純物伝導)
- 3p-M-4 DCNQI-Cu系の低温構造と圧力下の電導性
- 28p-ZF-2 (DMe-DCNQI)_2CuのNMR
- 日本金属学会編, 半導体と半金属, 基礎と応用. アグネ技術センター, 東京, 1990, 534p., 21.5×15.5 cm, 8,240円 (金属物性基礎講座, 6) [大学院向教科書]
- 28a-QA-13 θ型 (BEDT-TTF)_2I_3の高磁場磁気抵抗
- 28a-QA-12 β"型 (BEDT-TTF)_2AuBr_2の電気伝導特性
- 28a-QA-3 θ型(BEDT-TTF)_2(I_3)_X_x (X=AuI_2, I_2Br_2…) の超伝導
- 3p-P-8 BMDT・TTF-TCNQの電気伝導
- 3p-P-7 BMDT-TTF・TCNQの結晶構造
- 3p-P-6 DSeDTeTのカチオンラジカル塩の電気伝導
- 30a-HE-6 ビスマス薄膜におけるアンダーソン局在
- 27p-HE-4 液体ヘリウム薄膜上の電子
- 29p-N-1 電気伝導と局在
- 31a-Q-11 超伝導スズ微粒子のNMR : Knight shift
- 3p-J-3 超伝導金属スズ微粒子のNMR
- 13p-H-3 不純物伝導と補償
- 3a-H-15 不純物伝導と補償
- 1a KH-12 極低温の不純物伝導
- 3p-B-2 不純物伝導の低温磁化率II
- 31p GD-2 不純物伝導の低温磁化率
- 11a-F-11 ガリウム単結晶の超伝導トンネル効果
- 2a-C-4 微粒子薄膜の電気伝導 IV : 磁性不純物効果
- 2a-C-1 固体ネオン上の高濃度二次元電子系
- 日本物理学会編: ランダム系の物理学, 培風館,東京, 1981, xii+317ページ, 21.5×15.5cm, 3,950円.
- 30p-L-14 固体ネオン上の電子系
- 2p-NF-7 固体イオンに吸着されたヘリウム薄膜上の2次元電子
- 31a-Q-7 超伝導微粒子の2次元 random Josephson network
- 3p-J-4 超伝導微粒子の2次元Josephson network