半導体実験(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1968-02-05

著者

• 佐々木 亘

  東大理

• 佐々木 亘

  電試田無

• 佐々木 亘

  電試 田無

• 佐々木 亘

  電試

関連論文

• 5a-W-14 簡単に作れる安定したSQUID
• 9A1 Ge-Si合金の電気的性質
• 17C3. Silicocarbonの研究V電気伝導の機構について
• 12a-M-7 Cu-Ni合金微粒子のsuperparamagnetism
• ジャーナルの論文をよくするために
• 大学院における研究・教育の現状と問題点
• 日仏コロッキューム1979
• 磁束量子化
• Journalの論文の閲読と編集をめぐって
• Journalの長期対策について : Journalの長期対策
• 半導体実験(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
• Journalの頁増をめぐって
• Digital Voltmeter
• D.K.C.MacDonald: Thermoelectricity, J.Wiley & Sons, Inc., New York・London 1962, 133頁, 15×22cm, \2,600.
• Roobert R.Heikes and Roland W.Ure, Jr.Ed.: Thermoelectricity Science and Engineering, Interscience Publishers, New York-London, 1961, 576頁, 15×23cm.
• Paul H.Egli ed: Thermoelectricity, John Wiley and Sons, Inc., New York and London 1960, 407頁, 15×23cm.
• 半導体実験
• 不純物帯伝導のShubnikor-de Haas効果 : 半導体(輸送)
• 不純物帯伝導の高磁場電流磁気効果 : 半導体 : マイクロ波
• 不純物帯伝導の異常
• 不純物伝導のピエゾ抵抗効果 (III) : 半導体
• 4p-L-5 不純物伝導のピエゾ抵抗効果[II]
• 10p-A-5 不純物領域におけるピエゾ抵抗効果
• 2p-L-6 フェライトの磁気抵抗効果
• Fe-Co-ferriteの磁気抵抗効果に及ぼす磁場中熱処理の影響 : XVII. 磁性
• 16L-20 フェライトの磁気抵抗効果
• 18G-11 フエライト單結晶のGalvanomagnetic効果(II)
• n型Geの熱電能 : 半導体(実験)
• Sm_3Se_4の低温比熱(IX. Sm_3Se_4の物性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
• CeB_6の低温比熱(II. CeB_6の特性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
• 高不純物濃度Geのρ, R_Hの温度変化 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
• 半導体をめぐって
• 29a-M-5 Si:Pの希釈冷凍機温度域におけるNMR
• 3p-DS-12 Si:Pのホッピング伝導
• 固体物理の教科書について
• 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
• 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
• 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
• 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
• 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
• 1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
• 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
• 30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導
• 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
• 31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
• 30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
• 31a KH-6 高磁場中の超伝導微粒子
• 5a-AB-8 超伝導Al微粒子の臨界磁場
• 31a-BC-5 超伝導Al微粒子のZeerman効果
• 8a-F-9 P^doped SiのESR (II) 交換相互作用
• 6a-K-4 補償度の高い不純物半導体(Ge)-Band Tail-
• 6p-KH-11 CdSの共鳴ラマン効果
• 中間濃度域不純物伝導のホール効果(半導体(不純物伝導))
• 12p-P-6 超伝導微粒子のNMR : 磁場依存性
• 22p-T-3 超伝導微粒子の核磁気共鳴
• 6a-N-11 Al微粒子の核磁気緩和
• 8p-H-5 金属微粒子Al^の核磁気緩和
• 8p-H-4 Al微粒子のKnight Shift
• 不純物帯伝導の温度依存性 : 低温・金属
• 4p-L-2 不純物伝導における熱い電子
• 10p-A-2 不純物伝導における熱い電子
• 4a-N-10 シリコンのピエゾ抵抗効果(II)
• 18a-A-13 シリコンのピエゾ抵抗効果
• n型シリコンのピエゾ抵抗効果(II) : 半導体(不純物伝導)
• 6p-H-10 n-Siのピエゾ抵抗効果
• 30a-L-7 超流動^4He薄膜のK-T転移
• 2a KH-8 ヘリウム膜上の電子と第3音波
• 3p-BK-2 ヘリウム液面上の2次元電子系(III)
• 1p-BC-7 ヘリウム液面上の2次元電子系(II)
• 11a-S-4 ヘリウム液面上の二次元電子
• 1°K付近のピエゾ抵抗効果II : 半導体(不純物伝導)
• 6p-H-9 1°K附近のピエゾ抵抗効果
• 13a-K-7 1°K以下の不純物伝導
• 5p-H-1 ^3Heと超伝導ソレノイドを組合せた断熱消磁
• 不純物帯電子の散乱(低温)
• 7a-A-4 不純物伝導の温度依存性
• 不純物帯の熱電気効果 : 半導体 : マイクロ波
• 30a-HE-6 ビスマス薄膜におけるアンダーソン局在
• 27p-HE-4 液体ヘリウム薄膜上の電子
• 29p-N-1 電気伝導と局在
• 20L-2 N型Geの熱い電子の異方性に及ぼす谷間間遷移の影響
• 20L-1 谷間間遷移が熱い電子による伝導に及ぼす影響
• 19G-8 n-型InSbの極低温に於ける電気的性質
• 31a-Q-11 超伝導スズ微粒子のNMR : Knight shift
• 3p-J-3 超伝導金属スズ微粒子のNMR
• 13p-H-3 不純物伝導と補償
• 3a-H-15 不純物伝導と補償
• 1a KH-12 極低温の不純物伝導
• 3p-B-2 不純物伝導の低温磁化率II
• 31p GD-2 不純物伝導の低温磁化率
• 11a-F-11 ガリウム単結晶の超伝導トンネル効果
• ガリウム単結晶の超電導トンネル効果III : 低温(稀薄合金の超伝導)
• 14p-S-1 ガリウム単結晶の超伝導トンネル効果 I
• 2a-C-4 微粒子薄膜の電気伝導 IV : 磁性不純物効果
• 2a-C-1 固体ネオン上の高濃度二次元電子系
• 日本物理学会編: ランダム系の物理学, 培風館,東京, 1981, xii+317ページ, 21.5×15.5cm, 3,950円.
• 30p-L-14 固体ネオン上の電子系
• 2p-NF-7 固体イオンに吸着されたヘリウム薄膜上の2次元電子
• 31a-Q-7 超伝導微粒子の2次元 random Josephson network
• 3p-J-4 超伝導微粒子の2次元Josephson network

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク