17C3. Silicocarbonの研究V電気伝導の機構について

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1953-10-15

著者

• 石井 善正

  電気試験所

• 鳩山 道夫

  電気試験所

• 佐々木 亘

  電気試験所

• 鳩山 道夫

  電気試験場

• 佐々木 亘

  電試田無

関連論文

• Ge内部転位のX線的研究 : X線電子線
• 20F-18 Si-Ge合金の電気的性質(II)
• 9A1 Ge-Si合金の電気的性質
• 19C-17 (Pb-Ca)TiO_3のdouble hysteresis Loop
• (Pb-Ca)TiO_3のdouble hysteresis Loop II : 誘電体
• 17C3. Silicocarbonの研究V電気伝導の機構について
• 7D1 アンモニア吸収線の周波数変化
• 基礎と応用をつなぐもの
• 6B11 Silicocarbonの磁気吸収
• 19G-5 Geの電気抵抗の異方性
• Journalの論文の閲読と編集をめぐって
• 半導体実験(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
• Digital Voltmeter
• D.K.C.MacDonald: Thermoelectricity, J.Wiley & Sons, Inc., New York・London 1962, 133頁, 15×22cm, \2,600.
• Roobert R.Heikes and Roland W.Ure, Jr.Ed.: Thermoelectricity Science and Engineering, Interscience Publishers, New York-London, 1961, 576頁, 15×23cm.
• Paul H.Egli ed: Thermoelectricity, John Wiley and Sons, Inc., New York and London 1960, 407頁, 15×23cm.
• 半導体実験
• 不純物帯伝導のShubnikor-de Haas効果 : 半導体(輸送)
• 不純物帯伝導の高磁場電流磁気効果 : 半導体 : マイクロ波
• 不純物帯伝導の異常
• 不純物伝導のピエゾ抵抗効果 (III) : 半導体
• 4p-L-5 不純物伝導のピエゾ抵抗効果[II]
• 10p-A-5 不純物領域におけるピエゾ抵抗効果
• 2p-L-6 フェライトの磁気抵抗効果
• Fe-Co-ferriteの磁気抵抗効果に及ぼす磁場中熱処理の影響 : XVII. 磁性
• 16L-20 フェライトの磁気抵抗効果
• 18G-11 フエライト單結晶のGalvanomagnetic効果(II)
• n型Geの熱電能 : 半導体(実験)
• 半導体をめぐって
• 12a-P-12 Si,Ge單結晶における転位のX線的観察
• 8a-F-9 P^doped SiのESR (II) 交換相互作用
• 中間濃度域不純物伝導のホール効果(半導体(不純物伝導))
• n-Geの不純物伝導 : 物性基礎論
• 不純物帯伝導の温度依存性 : 低温・金属
• 4p-L-2 不純物伝導における熱い電子
• 10p-A-2 不純物伝導における熱い電子
• 電子的原因による内部摩擦 : XIII. 音響物性シンポジウム(固体の内部摩擦)
• 6p-H-10 n-Siのピエゾ抵抗効果
• 6p-H-9 1°K附近のピエゾ抵抗効果
• 13a-K-7 1°K以下の不純物伝導
• 5p-H-1 ^3Heと超伝導ソレノイドを組合せた断熱消磁
• 不純物帯電子の散乱(低温)
• 7a-A-4 不純物伝導の温度依存性
• 不純物帯の熱電気効果 : 半導体 : マイクロ波
• 不純物伝導
• Hot Electron
• n-Geのhot electron現象 : XX. 半導体
• 試料→測定→モデル (物性物理学への招待)
• 18G-10 フェライト單結晶のGalvanomagnetic効果(I)
• p-n Junction
• 半導体の熱起電力の測定について
• ゲルヤニウム整流器の低電圧-電流靜物性について
• 20L-2 N型Geの熱い電子の異方性に及ぼす谷間間遷移の影響
• 20L-1 谷間間遷移が熱い電子による伝導に及ぼす影響
• 19G-8 n-型InSbの極低温に於ける電気的性質
• 19G-7 低抵抗のn型Geの極低温における電気的性質
• 低抵抗n型Geの極低温における電気的性質(II) : 半導体(実験)
• ガリウム単結晶の超電導トンネル効果III : 低温(稀薄合金の超伝導)
• 14p-S-1 ガリウム単結晶の超伝導トンネル効果 I
• 6p-H-8 不純物伝導に対する補償の影響 II
• Geの電気抵抗の異方性(II) : 半導体(実験)
• 不純物伝導とESR : 半導体シンポジウム
• 不純物伝導の異常電流磁界効果 : 低温
• 8p-M-10 n型InSbの電流磁気効果
• n型InSbに極低温における電気的性質II : XX. 半導体
• 20L-7 InSbの極低温における電気的性質
• 樹脂の炭化による半導体
• 13a-K-10 不純物伝導と帯磁率II
• 学界ニュース
• 10F-7 コバルトフェライト格子歪について(磁気)
• 2D4 Silico Carbonの研究 : VI(2D 半導体 一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク