5p-H-1 ^3Heと超伝導ソレノイドを組合せた断熱消磁

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1964-10-05

著者

• 権田 俊一

  電試田無

• 佐々木 亘

  電試田無

関連論文

• 9A1 Ge-Si合金の電気的性質
• 17C3. Silicocarbonの研究V電気伝導の機構について
• Journalの論文の閲読と編集をめぐって
• 半導体実験(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
• Digital Voltmeter
• D.K.C.MacDonald: Thermoelectricity, J.Wiley & Sons, Inc., New York・London 1962, 133頁, 15×22cm, \2,600.
• Roobert R.Heikes and Roland W.Ure, Jr.Ed.: Thermoelectricity Science and Engineering, Interscience Publishers, New York-London, 1961, 576頁, 15×23cm.
• Paul H.Egli ed: Thermoelectricity, John Wiley and Sons, Inc., New York and London 1960, 407頁, 15×23cm.
• 半導体実験
• 不純物帯伝導のShubnikor-de Haas効果 : 半導体(輸送)
• 不純物帯伝導の高磁場電流磁気効果 : 半導体 : マイクロ波
• 不純物帯伝導の異常
• 不純物伝導のピエゾ抵抗効果 (III) : 半導体
• 4p-L-5 不純物伝導のピエゾ抵抗効果[II]
• 10p-A-5 不純物領域におけるピエゾ抵抗効果
• 2p-L-6 フェライトの磁気抵抗効果
• Fe-Co-ferriteの磁気抵抗効果に及ぼす磁場中熱処理の影響 : XVII. 磁性
• 16L-20 フェライトの磁気抵抗効果
• 18G-11 フエライト單結晶のGalvanomagnetic効果(II)
• n型Geの熱電能 : 半導体(実験)
• 半導体をめぐって
• 8a-F-9 P^doped SiのESR (II) 交換相互作用
• 中間濃度域不純物伝導のホール効果(半導体(不純物伝導))
• 不純物帯伝導の温度依存性 : 低温・金属
• 4p-L-2 不純物伝導における熱い電子
• 10p-A-2 不純物伝導における熱い電子
• 6p-H-10 n-Siのピエゾ抵抗効果
• 18a-A-11 1°K以下のピエゾ磁気抵抗効果
• 18a-A-10 不純物伝導の磁気抵抗効果
• 11a-F-3 焼結抵抗体による低温度測定
• 1゜K附近のピエゾ抵抗効果 III : 半導体 (下純物)
• 1°K付近のピエゾ抵抗効果II : 半導体(不純物伝導)
• 6p-H-9 1°K附近のピエゾ抵抗効果
• 13a-K-7 1°K以下の不純物伝導
• 5p-H-1 ^3Heと超伝導ソレノイドを組合せた断熱消磁
• 不純物帯電子の散乱(低温)
• 7a-A-4 不純物伝導の温度依存性
• 4p-L-3 不純物伝導の温度依存性
• 10p-A-4 不純物伝導・磁気抵抗のモデル
• 不純物帯の熱電気効果 : 半導体 : マイクロ波
• 20L-2 N型Geの熱い電子の異方性に及ぼす谷間間遷移の影響
• 20L-1 谷間間遷移が熱い電子による伝導に及ぼす影響
• 19G-8 n-型InSbの極低温に於ける電気的性質
• ガリウム単結晶の超電導トンネル効果III : 低温(稀薄合金の超伝導)
• 14p-S-1 ガリウム単結晶の超伝導トンネル効果 I
• 6p-H-8 不純物伝導に対する補償の影響 II
• Geの電気抵抗の異方性(II) : 半導体(実験)
• 不純物伝導とESR : 半導体シンポジウム
• 8p-M-10 n型InSbの電流磁気効果
• 13a-K-10 不純物伝導と帯磁率II
• 学界ニュース

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク