半導体の熱起電力の測定について
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 17C3. Silicocarbonの研究V電気伝導の機構について
- 不純物伝導のピエゾ抵抗効果 (III) : 半導体
- 2p-L-6 フェライトの磁気抵抗効果
- Fe-Co-ferriteの磁気抵抗効果に及ぼす磁場中熱処理の影響 : XVII. 磁性
- 16L-20 フェライトの磁気抵抗効果
- 18G-11 フエライト單結晶のGalvanomagnetic効果(II)
- n型Geの熱電能 : 半導体(実験)
- n-Geの不純物伝導 : 物性基礎論
- 電子的原因による内部摩擦 : XIII. 音響物性シンポジウム(固体の内部摩擦)
- 不純物伝導
- Hot Electron
- n-Geのhot electron現象 : XX. 半導体
- 試料→測定→モデル (物性物理学への招待)
- 18G-10 フェライト單結晶のGalvanomagnetic効果(I)
- p-n Junction
- 半導体の熱起電力の測定について
- ゲルヤニウム整流器の低電圧-電流靜物性について
- 19G-7 低抵抗のn型Geの極低温における電気的性質
- 低抵抗n型Geの極低温における電気的性質(II) : 半導体(実験)
- 不純物伝導の異常電流磁界効果 : 低温
- n型InSbに極低温における電気的性質II : XX. 半導体
- 20L-7 InSbの極低温における電気的性質
- 2D4 Silico Carbonの研究 : VI(2D 半導体 一般)