n-Geの不純物伝導 : 物性基礎論
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1962-10-08
著者
関連論文
- 20F-18 Si-Ge合金の電気的性質(II)
- 9A1 Ge-Si合金の電気的性質
- 17C3. Silicocarbonの研究V電気伝導の機構について
- 不純物帯伝導のShubnikor-de Haas効果 : 半導体(輸送)
- 不純物帯伝導の高磁場電流磁気効果 : 半導体 : マイクロ波
- 不純物帯伝導の異常
- 不純物伝導のピエゾ抵抗効果 (III) : 半導体
- 4p-L-5 不純物伝導のピエゾ抵抗効果[II]
- 10p-A-5 不純物領域におけるピエゾ抵抗効果
- 2p-L-6 フェライトの磁気抵抗効果
- Fe-Co-ferriteの磁気抵抗効果に及ぼす磁場中熱処理の影響 : XVII. 磁性
- 16L-20 フェライトの磁気抵抗効果
- 18G-11 フエライト單結晶のGalvanomagnetic効果(II)
- n型Geの熱電能 : 半導体(実験)
- 半導体をめぐって
- 中間濃度域不純物伝導のホール効果(半導体(不純物伝導))
- n-Geの不純物伝導 : 物性基礎論
- 8p-G-1 フェライトの磁気抵抗効果と磁歪
- 電子的原因による内部摩擦 : XIII. 音響物性シンポジウム(固体の内部摩擦)
- 18a-A-10 不純物伝導の磁気抵抗効果
- 不純物伝導の磁気抵抗 : とび歩き : 半導体
- 4p-L-4 不純物伝導の電流磁気効果 II
- 10p-A-3 不純物伝導の電流磁気効果
- 不純物伝導
- Hot Electron
- n-Geのhot electron現象 : XX. 半導体
- 試料→測定→モデル (物性物理学への招待)
- 18G-10 フェライト單結晶のGalvanomagnetic効果(I)
- p-n Junction
- 半導体の熱起電力の測定について
- ゲルヤニウム整流器の低電圧-電流靜物性について
- 19G-7 低抵抗のn型Geの極低温における電気的性質
- 低抵抗n型Geの極低温における電気的性質(II) : 半導体(実験)
- 6p-H-8 不純物伝導に対する補償の影響 II
- 13a-K-6 不純物伝導に対する補償の影響
- 4p-G-6 不純物伝導に対する補償の影響
- 不純物伝導とESR : 半導体シンポジウム
- 不純物伝導の異常電流磁界効果 : 低温
- 不純物帯電子の電流磁界効果(低温)
- 不純物伝導領域の異常Hall効果 : 半導体
- 9a-M-4 不純なn-Geの極低温での磁気抵抗
- 8p-M-10 n型InSbの電流磁気効果
- n型InSbに極低温における電気的性質II : XX. 半導体
- 20L-7 InSbの極低温における電気的性質
- n型Siの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : マイクロ波
- R.A.Smith: Semiconductors, Cambridge at the University Press, 1959, 494頁, 16×24cm, 3,900円
- 27F-19 Mn-Ferriteの磁気抵抗効果(磁性)
- 2D4 Silico Carbonの研究 : VI(2D 半導体 一般)