9a-M-4 不純なn-Geの極低温での磁気抵抗

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1959-10-08

著者

• 佐々木 亘

  電試 田無

• 山内 睦子

  電試田無

• 山内 睦子

  電試 田無

関連論文

• Journalの論文の閲読と編集をめぐって
• 半導体実験(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
• Digital Voltmeter
• D.K.C.MacDonald: Thermoelectricity, J.Wiley & Sons, Inc., New York・London 1962, 133頁, 15×22cm, \2,600.
• Roobert R.Heikes and Roland W.Ure, Jr.Ed.: Thermoelectricity Science and Engineering, Interscience Publishers, New York-London, 1961, 576頁, 15×23cm.
• Paul H.Egli ed: Thermoelectricity, John Wiley and Sons, Inc., New York and London 1960, 407頁, 15×23cm.
• 半導体実験
• 3a-F-12 Snの超伝導状態における表面抵抗
• 半導体をめぐって
• 中間濃度域不純物伝導のホール効果(半導体(不純物伝導))
• n-Geの不純物伝導 : 物性基礎論
• 4p-L-2 不純物伝導における熱い電子
• 18a-A-10 不純物伝導の磁気抵抗効果
• 不純物帯の熱電気効果 : 半導体 : 測定法
• 6p-F-7 不純物バンドの熱電効果
• 不純物伝導の磁気抵抗 : とび歩き : 半導体
• 4p-L-4 不純物伝導の電流磁気効果 II
• 10p-A-3 不純物伝導の電流磁気効果
• 20L-2 N型Geの熱い電子の異方性に及ぼす谷間間遷移の影響
• 20L-1 谷間間遷移が熱い電子による伝導に及ぼす影響
• 19G-8 n-型InSbの極低温に於ける電気的性質
• 低抵抗n型Geの極低温における電気的性質(II) : 半導体(実験)
• 3a-F-13 ガリウム単結晶の超伝導トンネル効果 II
• 6p-H-8 不純物伝導に対する補償の影響 II
• 13a-K-6 不純物伝導に対する補償の影響
• 4p-G-6 不純物伝導に対する補償の影響
• N型Geの{100}内面における強電界異方性 : XX. 半導体
• 11a-A-1 n型Geの強電界異方性の温度依存性
• 不純物伝導とESR : 半導体シンポジウム
• 不純物伝導の異常電流磁界効果 : 低温
• 不純物帯電子の電流磁界効果(低温)
• 不純物伝導領域の異常Hall効果 : 半導体
• 9a-M-4 不純なn-Geの極低温での磁気抵抗
• 8p-M-10 n型InSbの電流磁気効果
• n型InSbに極低温における電気的性質II : XX. 半導体
• 20L-7 InSbの極低温における電気的性質
• 不純物伝導と帶磁率 : 半導体 : 雑
• n型Siの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : マイクロ波
• R.A.Smith: Semiconductors, Cambridge at the University Press, 1959, 494頁, 16×24cm, 3,900円
• 30.I.17 Silicocarbonの研究(III) : X線廻折と電気的性質(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク