山内 睦子 | 電試田無
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概要
関連著者
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山内 睦子
電試田無
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佐々木 亘
電試 田無
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佐々木 亘
電気試験所
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佐々木 亘
電試田無
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山内 睦子
電試
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電試 田無
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水口 寛二
東大・理
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中村 美津子
電試田無
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山内 睦子
電試 田無
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山内 睦子
電試・田無
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佐野 純子
電試・田無
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上田 浩
日立中研
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金井 康夫
ソニー研
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権田 俊一
電試田無
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山下 次郎
東大物性研
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中村 美津子
電気試験所
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小野 周
東大教養
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松浦 悦之
昭和42年度出版委員
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松浦 悦之
東大工
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前川 稠
電総研
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宮沢 久雄
東芝中研
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小林 秋男
通研
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渋谷 元一
静岡大理
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川村 肇
東大物性研
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木下 是雄
学習院理
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渋谷 元一
電試
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伴野 正美
日立中研
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前川 稠
電試田無
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佐々木 亘
電試・田無
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松浦 悦之
出版委員
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川村 肇
松下電子工業
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小野 周
東大・教養
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金井 康夫
ソニー
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金井 康夫
電気通信研究所
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宮沢 久雄
東芝・中研
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宮沢 久雄
東芝マツダ研
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佐々木 亘
電試(田無)
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山内 睦子
電試(田無)
著作論文
- 半導体をめぐって
- 中間濃度域不純物伝導のホール効果(半導体(不純物伝導))
- n-Geの不純物伝導 : 物性基礎論
- 18a-A-10 不純物伝導の磁気抵抗効果
- 不純物伝導の磁気抵抗 : とび歩き : 半導体
- 4p-L-4 不純物伝導の電流磁気効果 II
- 10p-A-3 不純物伝導の電流磁気効果
- 低抵抗n型Geの極低温における電気的性質(II) : 半導体(実験)
- 6p-H-8 不純物伝導に対する補償の影響 II
- 13a-K-6 不純物伝導に対する補償の影響
- 4p-G-6 不純物伝導に対する補償の影響
- 不純物伝導とESR : 半導体シンポジウム
- 不純物伝導の異常電流磁界効果 : 低温
- 不純物帯電子の電流磁界効果(低温)
- 不純物伝導領域の異常Hall効果 : 半導体
- 9a-M-4 不純なn-Geの極低温での磁気抵抗
- 8p-M-10 n型InSbの電流磁気効果
- n型InSbに極低温における電気的性質II : XX. 半導体
- 20L-7 InSbの極低温における電気的性質
- n型Siの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : マイクロ波
- R.A.Smith: Semiconductors, Cambridge at the University Press, 1959, 494頁, 16×24cm, 3,900円