前川 稠 | 電試田無
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概要
関連著者
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前川 稠
電試田無
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前川 稠
電子技術総合研究所
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作道 恒太郎
電試田無
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鵜木 博海
電総研
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木下 信盛
電試田無
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電試 田無
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電総研
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京大理
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京大原研
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前川 稠
電総研
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作道 恒太郎
筑波大理工
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山内 睦子
電試田無
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稲垣 勝哉
電試田無
著作論文
- P-doped Siのパルス法E.S.R. : 磁気共鳴
- P doped SiのESR(中間濃度領域) : 半導体 : マイクロ
- 8a-F-12 P^doped SiのESR(I) ドナー対のスピン緩和
- 8a-F-9 P^doped SiのESR (II) 交換相互作用
- CsPbClにおける相転移(誘電体)
- BaTiO_3における磁気共鳴吸収III(誘電体)
- 7p-P-2 BaTiO_3における電子スピン共鳴吸収II
- 6a-N-8 K_3Cr/FeCo(CN)_6系でのParamagnetic"Dilution"効果
- 10a-Q-11 常磁性緩和時間の測定
- 9p-Q-3 K_3Co(CN)_6中の鉄族イオン
- 4p-G-8 UHF帯におけるn-SiのESR
- 不純物伝導とESR : 半導体シンポジウム
- 2a-TC-3 ZnS薄膜の高電界伝導 II
- 16a-A-2 ZnS薄膜の高電界伝導
- 不規則格子のクラスターとスピン状態 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
- 6p-H-6 ミリ波帯におけるn-SiのESR(II)
- 13a-K-17 ミリ波帯におけるn-SiのESR
- 13a-K-12 UHF帯におけるn-SiのESRII
- 高温での半導体のESR : 半導体 : 雑
- 不純物を多量に添加したSiについて : 磁気共鳴シンポジウム : 動き易い電子をもった物質
- BaTiO_3系の磁気共鳴吸収 : 誘電体
- CsPbCl_3系の磁気共鳴吸収 : 磁気共鳴