高温での半導体のESR : 半導体 : 雑
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-10-12
著者
関連論文
- CaPbCl_3の相転移II(誘電体)
- P-doped Siのパルス法E.S.R. : 磁気共鳴
- P doped SiのESR(中間濃度領域) : 半導体 : マイクロ
- 8a-F-12 P^doped SiのESR(I) ドナー対のスピン緩和
- 8a-F-9 P^doped SiのESR (II) 交換相互作用
- BaTiO_3の低温相におけるESR : 磁気共鳴
- CsPbClにおける相転移(誘電体)
- BaTiO_3における磁気共鳴吸収III(誘電体)
- 7p-P-2 BaTiO_3における電子スピン共鳴吸収II
- 6a-N-8 K_3Cr/FeCo(CN)_6系でのParamagnetic"Dilution"効果
- 10a-Q-11 常磁性緩和時間の測定
- 9p-Q-3 K_3Co(CN)_6中の鉄族イオン
- 3p-D-5 ピコ秒大出力レーザー
- 4p-G-8 UHF帯におけるn-SiのESR
- 不純物伝導とESR : 半導体シンポジウム
- 3a-NL-12 半導体化したPbOの電気抵抗
- 2a-TC-3 ZnS薄膜の高電界伝導 II
- 18a-A-3 多量にPを含むSiの2GHzESR
- 16a-A-2 ZnS薄膜の高電界伝導
- 不規則格子のクラスターとスピン状態 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
- 6p-H-6 ミリ波帯におけるn-SiのESR(II)
- 13a-K-17 ミリ波帯におけるn-SiのESR
- 13a-K-12 UHF帯におけるn-SiのESRII
- 不純物伝導と帶磁率 : 半導体 : 雑
- 高温での半導体のESR : 半導体 : 雑
- 不純物を多量に添加したSiについて : 磁気共鳴シンポジウム : 動き易い電子をもった物質
- 宇宙材料実験の動向と現状
- BaTiO_3系の磁気共鳴吸収 : 誘電体
- CsPbCl_3系の磁気共鳴吸収 : 磁気共鳴