前川 稠 | 電子技術総合研究所
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概要
関連著者
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前川 稠
電子技術総合研究所
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前川 稠
電試田無
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木下 信盛
電試田無
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作道 恒太郎
電試田無
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作道 恒太郎
筑波大理工
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鵜木 博海
電総研
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作道 恒太郎
電試
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森垣 和夫
東大物性研
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藤井 義正
電総研
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鵜木 博海
電試田無
-
前川 稠
電試
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植 寛素
電試田無
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森垣 和夫
物性研
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稲垣 勝哉
電総研
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平井 章
京大理
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千葉 明朗
京大原研
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小林 〓三
早大理工
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千葉 明朗
京大理
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山田 昌
早大理工
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黒田 寛人
電総研
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前川 稠
電総研
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佐々木 亘
電試田無
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岡 邦彦
電子技術総合研究所
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鵜木 博海
電子技術総合研究所
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佐々木 亘
電試 田無
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藤井 義正
早大理工
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木下 信盛
電試 田無
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鵜木 広海
電試
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増子 治武
電総研
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稲垣 勝哉
電試田無
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植 寛素
電気試験所
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前川 稠
電気試験所
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前川 稠
電試 田無
-
木下 譲止
電試 田無
著作論文
- CaPbCl_3の相転移II(誘電体)
- P-doped Siのパルス法E.S.R. : 磁気共鳴
- P doped SiのESR(中間濃度領域) : 半導体 : マイクロ
- 8a-F-12 P^doped SiのESR(I) ドナー対のスピン緩和
- 8a-F-9 P^doped SiのESR (II) 交換相互作用
- BaTiO_3の低温相におけるESR : 磁気共鳴
- CsPbClにおける相転移(誘電体)
- 3p-D-5 ピコ秒大出力レーザー
- 4p-G-8 UHF帯におけるn-SiのESR
- 3a-NL-12 半導体化したPbOの電気抵抗
- 2a-TC-3 ZnS薄膜の高電界伝導 II
- 18a-A-3 多量にPを含むSiの2GHzESR
- 16a-A-2 ZnS薄膜の高電界伝導
- 不規則格子のクラスターとスピン状態 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
- 6p-H-6 ミリ波帯におけるn-SiのESR(II)
- 13a-K-17 ミリ波帯におけるn-SiのESR
- 13a-K-12 UHF帯におけるn-SiのESRII
- 不純物伝導と帶磁率 : 半導体 : 雑
- 高温での半導体のESR : 半導体 : 雑
- 不純物を多量に添加したSiについて : 磁気共鳴シンポジウム : 動き易い電子をもった物質
- 宇宙材料実験の動向と現状