稲垣 勝哉 | 電総研

スポンサーリンク

概要

• 稲垣 勝哉の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 電総研の論文著者

関連著者

• 稲垣 勝哉

  電総研

• 吉広 和夫

  電総研

• 山内 睦子

  電総研

• 木下 攘止

  電総研

• 川路 紳治

  学習院大理

• 若林 淳一

  学習院大理

• 森山 次郎

  学習院大理

• 森山 次郎

  学習院大・理

• 遠藤 忠

  電総研

• 長島 直樹

  学習院大理

• 八百 隆文

  電総研

• 八百 隆文

  広島大工

• 前川 稠

  電総研

• 村山 泰

  電総研

• 小柳 正男

  電総研

• 村山 泰

  電子技術総合研究所

• 小林 俊一

  東大理

• 菊池 信恭

  学習院大・理

• 牧田 雄之助

  電総研

• 伊達 宗和

  Ntt 入出力システム研究所

• 伊達 宗和

  日本電信電話株式会社nttサイバースペース研究所

• 伊達 宗和

  日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所

• 伊達 宗和

  学習院大理

• 伊達 宗和

  日本電信電話(株)

• 木下 壌止

  電総研

• Date Munekazu

  Ntt Cyber Space Laboratories Ntt Corporation

• 坂本 泰彦

  電総研

• 桜庭 俊昭

  電総研

• 菊池 信恭

  学習院大理

• 唐沢 毅

  東大理

• 遠藤 忠

  電子技術総合研究所

• 坂本 泰彦

  電子技術総合技術研究所

• 川路 紳治

  学習院大・理

• 長島 直樹

  学習院大・理

• 若林 淳一

  学習院大・理

• Rickts B.W.

  CSIRO-NML

• 馬場 俊祐

  学習院大理

• 中村 彬

  電総研

• 前川 稠

  電試田無

• 前川 稠

  電子技術総合研究所

• 稲垣 勝哉

  電試田無

• 木下 嬢止

  電総研

• 若林 淳一

  学習院理大

• 川路 紳治

  学習院理大

• 丸岡 正典

  学習院大理

• 川路 伸治

  学習院大理

もっと見る 閉じる

著作論文

• 31a-Z-2 量子化ホール抵抗の高精度測定IV
• 4a-C-8 量子化ホール抵抗の高精度測定 III
• 3a-F-2 量子化ホール抵抗の高精度測定 V
• 31a-TB-12 PbInAu/oxide/PbAu超伝導トンネル接合の接合電圧のドリフト II
• 3a-ZE-8 PblnAu/oxide/PbAu超伝導トンネル接合の接合電圧のドリフト
• 6a-A2-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(II)
• 6a-A2-3 量子化ホール抵抗の高精度測定I
• 28a-R-9 電流量子現像の観測 (II)
• 27p-G-1 Si-MOSFETの電気伝導度のFluctuations(II)
• 28p-A-4 磁界中での二次元電子系の局在
• 3p-F-12 量子ホール効果状態における低周波雑音
• 3a-A-19 量子ホール効果の精密測定III
• 1p-KH-6 量子ホール効果の精密測定II
• 13p-E-8 量子ホール効果の精密測定
• 2p-A-8 Si-MOSFETのHall効果の精密測定 V
• 2p-A-7 Si-MOSFETの量子ホール抵抗の10mk付近での測定
• 2p-A-6 mK温度域のSi-MOS反転層の電気伝導
• 1a-Pα-23 Liq.^3He温度におけるSi-MOSFETのHall抵抗
• 5a-NL-9 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定IV
• 5a-NL-8 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定III
• 6p-M-10 CdSの高電場移動度
• 10a-Q-3 Field Enhanced Dissociation of Excitons in n-Ge
• 30p-K-8 Si-MOS反転層内の電子のHall効果の精密測定
• 5a-NL-7 Si-MOS反転層内電子のHall効果の精密測定II
• 12p-H-1 nonstationary electric conduction in n-Ge
• 5p-H-4 大きな超音波ポテンシャル下の電子の運動
• 7a-F-10 超音波とSuper Lattice
• 7a-F-9 高電界下の量子伝導現象
• 11a-P-4 p-Geのホットエレクトロン領域における異常磁気抵抗効果
• 4p-LT-4 ホットエレクトロンによる磁気抵抗効果-P-Geの場合
• 2a-TC-3 ZnS薄膜の高電界伝導 II
• 1p-L4-8 電流量子化の観測(III)(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 30a-LD-2 Si-MOSFETの電気伝導度のfluctuations(半導体)
• 3a-L2-1 SiMOSFETの電気伝導度のfluctuations(III)(半導体,(MOS,黒リン))
• 1p-D2-3 量子ホール効果の精密測定IV(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
• 28p-G-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 29p-FC-5 量子化ホールステップの幅(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 30p-LB-13 電流量子化現象の観測(低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク