30p-LB-13 電流量子化現象の観測(低温)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1987-03-27
著者
関連論文
- 28p-ZC-2 ホッピング伝導の磁気抵抗
- 28a-ZJ-8 高抵抗微粒子膜と超伝導
- 31p-Y-4 アルミニウム微粒子膜とh/4e^2
- 5a-W-14 簡単に作れる安定したSQUID
- 2502 OFDRによるひずみ分布計測の測定範囲の拡張に関する考察(J10-1 計測・モニタリング・解析(1),J10 知的材料・構造システム)
- 2504 分布型光ファイバセンサによる溶接部のひずみモニタリング(J10-1 計測・モニタリング・解析(1),J10 知的材料・構造システム)
- 5p-PS-48 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC II
- 31p-PS-37 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC
- 28a-R-9 電流量子現像の観測 (II)
- 5a-B1-8 スズのジョセフソンネットワークにおける臨界面抵抗
- 12a-M-7 Cu-Ni合金微粒子のsuperparamagnetism
- 3p-YE-4 超伝導微粒子のSTS
- 28a-L-8 STMによる微粒子電子状態の観察
- 12p-DF-2 銅微粒子膜における電荷KT転移
- 29p-T-10 超伝導微粒子膜における電荷KTB転移
- 29a-T-9 久保効果と核磁気緩和
- 27a-P-10 試料端に変調をつけた細線の電気伝導
- 26p-P-10 微粒子膜とクーロン閉塞
- 26p-P-9 Al微小トンネル接合の臨界的振舞い
- 26a-P-13 NiAl細線の電気伝導
- 26p-ZJ-2 電子トンネル現象の実験
- 26a-ZG-1 AlGaAsのμSR
- 30a-ZC-2 久保効果とスピン軌道相互作用
- 27p-B-13 静電圧による電子位相の制御 II
- 29p-ZK-8 電子位相の静電圧制御
- 29p-ZK-2 A1微小トンネル接合の実験III
- 28a-ZJ-9 久保効果とスピン散乱
- 27a-W-9 スズ微粒子薄膜の臨界抵抗
- 5a-B1-9 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性
- 31a-A-7 常伝導・微小トンネル接合を付加した超伝導・微小トンネル接合
- 30p-A-7 コバルト微粒子の磁化の緩和(NMR)
- 6p-K-9 Al微粒子の伝導電子スピン共鳴
- 5p-N-9 並列抵抗を付加した微小トンネル接合の電気伝導の実験 II
- 30p-Q-9 高抵抗微小トンネル接合配列の電気伝導II
- 30p-Q-8 並列抵抗を付加した微小トンネル接合の電気伝導の実験
- 強磁性微小トンネル接合列の電気伝導II
- 微細加工した微粒子膜の電気伝導
- 単一微小トンネル接合のクローンブロッケイドに対する環境の影響
- 超伝導微粒子のSTS III
- 超伝導微粒子膜における超伝導-絶縁体転移
- Al微粒子のNMR
- Ni-NiO-Ni及びNi-NiO-Fe微小トンネル接合の電気伝導
- 28p-M-14 一次元微小トンネル接合列の電気伝導
- 28p-M-11 微小トンネル接合の2次元アレイにおける電気伝導III
- 3p-YE-10 微小トンネル接合の2次元アレイにおける電気伝導II
- 12p-DF-1 微小トンネル接合の規則的2次元配列における電気伝導
- 26p-ZB-13 Al微小トンネル接合の帯電効果
- Al微小トンネル接合のI-V特性
- 6a-ZE-10 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性III
- 5p-B2-7 銅微粒子中における核スピン緩和の異常
- 2a-L-8 Si:Pの稀釈冷凍機温度域におけるNMRIII
- 3p-RM-7 高濃度型Si:Pの極低温電気伝導
- 13a-D-8 SiPの希釈冷凍機温度領域のNMR II
- 29a-M-5 Si:Pの希釈冷凍機温度域におけるNMR
- 28p-M-8 銅微粒子膜の磁気抵抗
- 3p-YE-8 銅微粒子膜の電気伝導における粒径の効果
- 28p-M-5 超伝導微粒子のSTS II
- 3p-YE-12 常伝導微小トンネル接合の2次元ネットワーク I
- 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
- 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
- 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
- 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
- 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
- 1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
- 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
- 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
- 30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
- 25a-ZB-9 永続光伝導体における超伝導近接効果
- 6p-B1-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率III
- 31a KH-6 高磁場中の超伝導微粒子
- 5a-AB-8 超伝導Al微粒子の臨界磁場
- 31a-BC-5 超伝導Al微粒子のZeerman効果
- 7p-Y-1 強磁性Pd合金中のAlの核磁気共鳴
- 5p-W-2 強磁性Pd合金中のAlの核磁気共鳴
- 14a-S-6 強磁性PdMnの中のAlの核磁気共鳴
- 12p-P-6 超伝導微粒子のNMR : 磁場依存性
- 22p-T-3 超伝導微粒子の核磁気共鳴
- 6a-N-11 Al微粒子の核磁気緩和
- 8p-H-5 金属微粒子Al^の核磁気緩和
- 8p-H-4 Al微粒子のKnight Shift
- 30a-L-7 超流動^4He薄膜のK-T転移
- 2a KH-8 ヘリウム膜上の電子と第3音波
- 30a-HE-6 ビスマス薄膜におけるアンダーソン局在
- 26a-ZB-8 電子導波管の形状効果
- 30p-TB-15 永続的光伝導による金属絶縁体転移IV
- 5a-W-3 k-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の比熱
- 28p-M-10 超伝導微粒子薄膜における電荷・渦糸KTB転移
- 3p-YE-6 低伝導度銅微粒子膜における磁気伝導度
- 3p-YE-5 スズ微粒子膜におけるKT転移III
- 28a-L-10 スズ微粒子膜におけるKT転移
- 28a-L-9 Cu微粒子膜における電気伝導
- 12p-D-7 スズ微粒子膜におけるKT転移
- 金属微粒子の電子状態(第22回物性若手「夏の学校」開催後期・報告)
- 28a-Q-2 AlGaAsの永続光伝導による金属非金属転移 II
- 一次元微小トンネル接合列の電気伝導II
- 24p-ZB-11 ^3He-^4He混合液の冷却と超流動探索II
- 13p-DF-6 準周期構造下における電流磁気効果
- 単一微小トンネル接合におけるクーロンブロッケイドII
- 28p-M-4 単一微小トンネル接合におけるクーロンブロッケイド
- 3p-YE-7 超伝導微小トンネル接合列の電流電圧特性