木下 攘止 | 電総研
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概要
関連著者
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木下 攘止
電総研
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吉広 和夫
電総研
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山内 睦子
電総研
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稲垣 勝哉
電総研
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川路 紳治
学習院大理
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若林 淳一
学習院大理
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遠藤 忠
電総研
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森山 次郎
学習院大理
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森山 次郎
学習院大・理
-
小柳 正男
電総研
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長島 直樹
学習院大理
-
村山 泰
電総研
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遠藤 忠
電子技術総合研究所
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小林 俊一
東大理
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菊池 信恭
学習院大・理
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瀬河 浩司
電総研
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村山 泰
電子技術総合研究所
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菊池 信恭
学習院大理
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唐沢 毅
東大理
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植 寛素
筑波大理工
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植 寛素
電総研
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作道 恒太郎
電総研
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作道 恒太郎
筑波大理工
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榊 裕之
東大生産研
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伊達 宗和
Ntt 入出力システム研究所
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伊達 宗和
日本電信電話株式会社nttサイバースペース研究所
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伊達 宗和
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
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伊達 宗和
学習院大理
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伊達 宗和
日本電信電話(株)
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Date Munekazu
Ntt Cyber Space Laboratories Ntt Corporation
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吉野 淳二
東工大院理工
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川路 紳治
学習院大・理
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長島 直樹
学習院大・理
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若林 淳一
学習院大・理
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Rickts B.W.
CSIRO-NML
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杉 道夫
電総研
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斉藤 充喜
電総研
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森田 重雄
電総研
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吉野 淳二
東大生産研
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福井 常勝
電総研
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飯島 茂
電総研
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馬場 俊祐
学習院大理
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中村 彬
電総研
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中西 正和
電総研
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西中 英文
電総研
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西中 英文
電子技術総合研究所
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若林 淳一
学習院理大
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川路 紳治
学習院理大
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丸岡 正典
学習院大理
-
川路 伸治
学習院大理
著作論文
- 4a-C-8 量子化ホール抵抗の高精度測定 III
- 6a-A2-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(II)
- 6a-A2-3 量子化ホール抵抗の高精度測定I
- 28a-R-9 電流量子現像の観測 (II)
- 27p-G-1 Si-MOSFETの電気伝導度のFluctuations(II)
- 28p-A-4 磁界中での二次元電子系の局在
- 3a-A-19 量子ホール効果の精密測定III
- 1p-KH-6 量子ホール効果の精密測定II
- 13p-E-8 量子ホール効果の精密測定
- 2p-A-8 Si-MOSFETのHall効果の精密測定 V
- 2p-A-7 Si-MOSFETの量子ホール抵抗の10mk付近での測定
- 2p-A-6 mK温度域のSi-MOS反転層の電気伝導
- 1a-Pα-23 Liq.^3He温度におけるSi-MOSFETのHall抵抗
- 5a-NL-9 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定IV
- 5a-NL-8 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定III
- 3p-DS-15 n-KTaO_3の重い電子と軽い電子のフェルミ面
- 30a-M-6 GaAs-Ga_Al_xAsヘテロ構造の量子ホール効果の精密測定
- 30a-M-7 半導体 / Langmuir-Blogett膜MIS構造の量子ホール効果
- 抵抗,電流の測定
- 26a-ZH-3 量子ホール効果の精密測定
- 29p-X-5 量子化ホール抵抗の精密測定(3)
- 27a-C-3 量子化ホール抵抗の精密測定(2)
- 25a-M-11 量子化ホール抵抗の精密測定
- 30p-K-8 Si-MOS反転層内の電子のHall効果の精密測定
- 5a-NL-7 Si-MOS反転層内電子のHall効果の精密測定II
- 3a-BJ-5 n 型 KtaO_3 の Shubnikov-de Haas 効果とバンド構造
- 11a-P-4 p-Geのホットエレクトロン領域における異常磁気抵抗効果
- 4p-U-4 p-Geの低温におけるホール効果
- 12a-F-9 中間濃度域不純物伝導の遠赤外吸収 (III)
- 4p-U-5 Ga-doped Geの高濃度不純物伝導域におけるShubnikov-de Haas効果
- 1p-L4-8 電流量子化の観測(III)(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 30a-LD-2 Si-MOSFETの電気伝導度のfluctuations(半導体)
- 1p-D2-3 量子ホール効果の精密測定IV(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
- 28p-G-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 29p-FC-5 量子化ホールステップの幅(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 30p-LB-13 電流量子化現象の観測(低温)