川路 紳治 | 学習院大・理

スポンサーリンク

概要

• 川路 紳治の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 学習院大・理の論文著者

関連著者

• 川路 紳治

  学習院大・理

• 川口 洋一

  学習院女子短大

• 川口 洋一

  学習院女子大学

• 川口 洋一

  学習院大・理

• 若林 淳一

  学習院大理

• 若林 淳一

  学習院大・理

• 岡本 徹

  学習院大・理

• 楠田 公明

  学習院大・理

• 鈴木 純児

  学習院大 理

• 鈴木 純児

  学習院大・理

• 林 健二

  学習院大 理

• 北原 洋明

  学習院大・理

• 奥野 丈晴

  学習院大 理

• 林 健二

  学習院大・理

• 大類 隆博

  学習院大 理

• 成田 信一郎

  阪大基礎工

• 室 清文

  阪大基礎工

• 川路 紳治

  学習院大理

• 岡本 弘

  阪大基礎工

• 加藤 秀明

  学習院大・理

• 奥野 丈晴

  学習院大・理

• 大類 隆博

  学習院大・理

• Small G

  CSIRO-NML

• Ricketts B

  CSIRO-NML

• Small G.W

  CSIRO-NML

• Ricketts B.W

  CSIRO-NML

• 島田 貴子

  学習院大理

• 永田 真

  学習院大学理

• 中村 孔一

  明大和泉校舎

• 島田 貴子

  学習院大・理

• 深野 敦之

  学習院大・理

• 滋野 博之

  学習院大理

• 片野 築

  学習院大理

• 江沢 洋

  学習院大・理

• 中村 孔一

  学習院大・理

• 鈴木 孝章

  学習院大・理

• Coogan P

  CSIRO-NML

• 永田 真

  学習院大・理

• 平河 克靖

  学習院大・理

• 平河 克靖

  学習院大学理

• 森山 次郎

  学習院大・理

• 前田 健司

  学習院大・理

• 片野 築

  学習院大・理

• 滋野 博之

  学習院大・理

• 並木 優幸

  学習院大・理

• 星 直也

  学習院大・理

• 長島 直樹

  学習院大理

• 吉広 和夫

  電総研

• 稲垣 勝哉

  電総研

• 山内 睦子

  電総研

• 木下 攘止

  電総研

• 長島 直樹

  学習院大・理

• 菊池 信恭

  学習院大・理

• Rickts B.W.

  CSIRO-NML

• 柴垣 真果

  学習院大・理

• 久保木 慶樹

  学習院大理

• 南部 利明

  学習院大理

• 高柳 功

  学習院大・理

• 奥野 史晴

  学習院大・理

• 黒田 登志雄

  学習院大理

• 黒田 登志雄

  学習院大・理

• 南部 利明

  学習院大・理

• 久保木 慶樹

  学習院大・理

• 藤原 敦

  学習院大・理

• 石原 寛之

  学習院大・理

• 宇野 伸一郎

  学習院大・理

• 高田 正保

  学習院大・理

• 大神 正康

  学習院大・理

• 岡村 亨

  学習院大・理

• 川端 勝則

  学習院大・理

• 河口 洋一

  学習院女子短大

• 大神 正康

  学習院大理

もっと見る 閉じる

著作論文

• 6a-A2-3 量子化ホール抵抗の高精度測定I
• 28a-E-3 シリコンMOSFETの遠赤外分光伝導特性
• 4p-B-5 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサイクロトロン共鳴吸収
• 4p-B-4 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサブバンド間遷移
• 量子化ホール抵抗の高精度測定 : 試料幅依存性
• 量子化ホール抵抗の高精度測定 : 試料幅依存性
• 4a-M-6 酸化膜のないSi表面反転層の電気伝導
• 4a-H-6 InAs表面異常伝導の縦電場効果
• 2a-N-8 半導体の表面二次元伝導と表面波 IV
• 30a-RB-9 InAs表面n型反転層弱局在領域の電気伝導
• 5a-NL-4 Si-MOS(100)反転層2次元電子移動度の温度依存
• 5a-NL-2 Si-MOS二次元伝導の強電界効果と負磁気抵抗
• 30p-K-6 セシウム吸着Si表面反転層のアンダーソン局在
• 30p-K-3 シリコン(100)表面2次元電子移動度の温度依存
• 3p-B-11 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在II
• 4p-B-1 Si MOS 反転層の格子散乱移動度
• 29a-M-11 量子化ホール抵抗の高精度測定II
• 29a-M-11 量子化ホール抵抗の高精度測定 II
• 4a-J-14 量子化ホール抵抗の高精度測定
• 30p-N-11 量子化ホール抵抗の高精度測定 II
• 4p-K-8 半導体の表面二次元伝導と表面波 II
• 13p-E-6 Si-MOS反転層の極低温・強磁場電気伝導
• 26a-ZH-1 量子化ホール抵抗の高精度測定
• 2a GA-4 Si-MOS反転層のフォノン散乱と負磁気抵抗効果
• 5p-DR-19 Si-MOSn型反転層の負磁気抵抗効果-(100)面
• 31p-CA-10 Si-MOS n型反転層の負磁気抵抗効果
• 6a-B-9 セシウム吸着シリコン表面反転層の強電界効果
• 11a-F-6 Csを吸着させたP-Si(III)表面の電気的性質
• 3p-R-11 Csを吸着させたP型Si(111)表面の電気的性質
• 14aM-6 Csを吸着させたreal Si表面の電気的性質
• 23a-G-6 Si-Csの電気的性質
• 4p-K-7 InAs表面の電流磁気効果
• 18p-A-2 InAs劈開清浄面の磁気抵抗効果
• InAs表面二次元伝導の抵抗と磁気抵抗の異常 : 半導体(不純物伝導)
• 1p-KH-7 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導
• 13p-E-7 Si-MOS界面2次元系の強局在領域の電気伝導
• 28a-E-5 Si-MOS反転層の強磁場ホール効果の温度依存
• 2a GA-3 Si(001) 近傍面MOS反転層の伝導特性 (II)
• 2a GA-2 Si(100) MOS反転層の谷分裂
• 5p-DR-18 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導;Hall効果
• 31p-CA-11 Si-反転層のシュブニコフ・ド・ハース効果の角度依存
• 4p-K-21 Si-MOS反転層の強磁場伝導
• 22pF-5 量子ホール効果と抵抗標準
• 4p-K-17 Si-MOS反転層の局在状態
• 半導体における準二次元電気伝導(第22回物性若手「夏の学校」開催後期・報告)
• 30p-K-5 低電子濃度領域のSi-MOS反転層の電気伝導
• 3p-B-12 低電子濃度領域のSi-MOS反転層の電気伝導
• 7a-U-5 Si-n型表面反転層の強磁場ホール効果
• 11a-F-4 低温・強磁場下のSi表面反転層への量子輸送
• 28a-E-6 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク