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岡本 弘 | 阪大基礎工
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著作論文
28a-E-3 シリコンMOSFETの遠赤外分光伝導特性
4p-B-5 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサイクロトロン共鳴吸収
4p-B-4 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサブバンド間遷移
5a-LT-8 Hg_Cd_xTe蓄積層電子のサイクロトロン共鳴吸収
31p-CA-15 n 型 Hg_1-xCd_xTe の表面蓄積層
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