4p-B-4 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサブバンド間遷移

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1979-09-15

著者

• 成田 信一郎

  阪大基礎工

• 室 清文

  阪大基礎工

• 川路 紳治

  学習院大・理

• 岡本 弘

  阪大基礎工

関連論文

• 3p-B-7 D^-,A^+状態 XIII
• 3p-B-6 D^-,A^+状態XII
• 2a GE-9 D^-, A^+状態XI
• 3p-DS-5 D^-,A^+状態 VIII
• 10p-R-6 D^-状態,D^-バンドのあるときのGeのピエゾ抵抗効果
• 10p-R-5 D^-,A^+状態VI
• 10p-R-4 D^-,A^+状態V
• 10p-R-2 Ge,SiにおけるD^-状態とD^-バンド : (励起子イオン)実験の立場から
• 8a-B-7 D^-,A^+状態 III
• 4p-U-9 D^-, A^+状態II (n-Si)
• 4p-U-8 D^-, A^+状態II (n-Ge)
• 12a-F-2 サブミリ波領域におけるGeの光伝導スペクトル (II)
• 3a-R-13 サブミリ波領域におけるGeの光伝導スペクトル
• 30a-K-2 不純物帯の遠赤外分光(磁場効果)II
• 2a-B-9 不純物帯の遠赤外分光(磁場効果)
• 27a-A-4 不純物帯の遠赤外分光 II
• 27a-A-3 不純物帯の遠赤外分光 I
• 3p-B-4 Ge不純物帯の遠赤外分光 II
• 強磁場n-InSbのCyclotron Resonanceにおける電場効果 (II) : 半導体 (化合物, その他)
• n-InSbのホットエレクトロンの遠赤外サイクロトロン共鳴 : 半導体シンポジウム : 低温における III-V 化合物のホット・エレクトロン
• 強磁場.n-InSbのCyclotron Resonanceにおける電場効果 : 半導体(不純物伝導)
• 6a-H-3 Impact Ionization下の不純物光吸収 (Ge)
• 4p-G-5 遠赤外域の光伝導
• 3p-C-13 遠赤外半導体ディテクター
• 3p-KG-1 黒リンの内殻励起偏光反射及び吸収スペクトル
• 28a-N-7 低温高圧力下でのIII-V化合物半導体の不純物状態
• 13a-N-14 黒リン及び黒リン型P-As合金の光電子分光
• 29a-N-6 黒リン単結晶のシンクロトロン放射分光
• 27a-N-8 黒リン中の内殻励起子と共鳴光電子放出
• 11p-H-5 AgClの遠赤外サイクロトロン共鳴
• 11p-H-3 CdSのサイクロトロン共鳴
• 11p-H-2 円偏光によるGeの遠赤外サイクロトロン共鳴 -理論-
• 11p-H-1 円偏光によるGeの遠赤外サイクロトロン共鳴 -実験-
• 1a-TC-15 CdSの遠赤外サイクロトロント共鳴
• 3a-W-5 TEACO_2 レーザー励起遠赤外レーザーの発振特性
• 1p-F-17 黒リンの高圧下での電気的性質 III
• 1a-F-9 高圧力下での半導体の温度変調分光
• 4p-TC-18 高圧力下における二量体型結晶の発光
• 5a-D-6 黒リンの不純物状態
• 5a-D-5 黒リン型構造のP-As合金単結晶の光学的測定
• 5a-D-4 黒リンの高圧下での電気的性質
• 4a-PS-5 AgClの高圧下での分光測定
• 3p-KG-8 黒燐型P_As_合金単結晶の角度分解UPS
• 3p-KG-7 黒リン型構造のP-Sb合金の製作と電気的性質
• 3p-KG-3 黒リンの不純物状態の遠赤外分光
• 3p-KG-2 黒燐の赤外光伝導
• 1p-PS-33 四元半磁性半導体Hg_Cd_xMn_yTeにおける遠赤外磁気光吸収
• 1p-PS-32 共鳴4光子ミキシング法によるn-HgCdTeの電子スピン共鳴の研究(III)
• 1p-PS-31 Hot-Wall法によるPb_Mn_xTe系の結晶作成と赤外分光III
• 1a-KH-8 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FET、2次元電子系のサイクロトロン共鳴IV
• 14p-S-7 AgBr_Clxの励起子の圧力誘起相転移
• 13a-N-13 黒リン型構造のP-As合金単結晶の製作と電気的性質
• 13a-N-12 黒リンの超高圧下でのX線回折
• 30p-D-7 半磁性半導体Hg_Mn_xTeの輸送特性 I
• 27a-A-7 D^-, A^+状態 XV
• 27a-A-6 D-^, A^+状態 XIV
• 28a-E-3 シリコンMOSFETの遠赤外分光伝導特性
• 4p-B-5 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサイクロトロン共鳴吸収
• 4p-B-4 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサブバンド間遷移
• 5a-LT-8 Hg_Cd_xTe蓄積層電子のサイクロトロン共鳴吸収
• 31p-CA-15 n 型 Hg_1-xCd_xTe の表面蓄積層
• 13p-E-4 Al_xGa_ As/GaAsヘテロ接合FET二次元電子系のサイクロトロン共鳴 III
• 30a-M-14 共鳴4光子ミキシング法によるn-HgCdTeの電子スピン共鳴の研究
• 30a-M-13 Hot-Wall法によるPb_MnxTe系の結晶作成と赤外分光
• 30a-M-4 AlxGa_Asヘテロ接合FET二次元電子系のサイクロトロン共鳴 II
• 29a-M-9 大出力ショートパルス遠赤外レーザーを用いた半導体中の電子緩和現象の研究
• 3a-P-7 TEA炭酸ガスレーザー励起赤外・遠赤外レーザーによる分光システムの開発
• 3a-A-8 黒燐単結晶のHall効果とサイクロトロン共鳴
• 1a-F-4 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FETの2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴の量子極限での異常
• 1a-Pα-26 GaAs/GaAlAsヘテロ接合二次元電子ガスのサイクロトロン共鳴III
• 1p-B-18 narrow-gap半導体におけるspin flip nonlinearity II
• 1p-B-5 半磁性半導体Hg_Mn_xTeのバンド間分光
• 5a-NL-12 Al_xGa_As/GaAsヘテロジャンクションの物理的性質IV
• 4p-NL-17 narrow-gup半導体におけるspin flip nonlinearity
• 30p-K-10 GaAs/Al_Ga_xAsヘテロジャンクションFETの物理的性質 II
• 7a-B-3 n-CdSに於る遠赤光伝導
• 3p-H-8 Ge(Sb)の遠赤外光伝導の二つの機構
• HgTeの遠赤外Cyclotron Resonance : 半導体 (化合物, その他)
• Ge-Sbの遠赤外域光電導 : 半導体 (下純物)
• 6a-H-5 Ge-Sbの遠赤外域光伝導 III
• 6a-H-2 遠赤外レーザーによるサイクロトロン共鳴
• 11p-N-8 高圧下のGaAsのドナー状態
• 28a-M-2 四元半磁性半導体Hg_Cd_xMn_yTeにおける遠赤外磁気光吸収 (IV)
• 30a-BA-3 四元半磁性半導体Hg_Cd_xMn_yTeにおける遠赤外磁気光吸収 (III)
• 12p-F-12 磁性半導体CdCr_2Se_4單結晶の輸送現象
• 14p-W-14 磁性半導体CdCr_2Se_4のHall効果
• 3a-G-1 低温高圧力下におけるAgBr_Cl_xの励起子発光
• 11p-N-15 四元半磁性半導体Hg_Cd_xMn_yTeのShubnikov-de Haas効果IV.
• 29p-N-4 四元半磁性半導体Hg_Cd_xMn_yTeのシュブニコフ・ド・ハース効果 III
• 30a-BA-2 四元半磁性半導体Hg_Cd_xMn_yTeのシュブニコフ・ド・ハース効果 II
• 1p-B-3 四元半磁性半導体Hg_Cd_xMn_yTeのシュブニコフ・ド・ハース効果I
• 4p-NL-18 半磁性四元半導体Hg_Cd_xMn_yTeの輸送特性(Sh-dH効果)
• 31a-K-11 4元半磁性半導体[Hg_Cd_x]_MnyTeの結晶作成とその電気的測定
• 30p-K-11 GaAs/Al_xGa_AsヘテロジャンクションFETの物理的性質 I : 輸送現象
• 2a-B-1 Shubnikov-de Haas効果による半磁性半導体Hg_Mn_xSeのバンド構造
• 17G-25 GeSの光学的特性
• 4a-KL-8 G_AAsの遠赤外光伝導(不純物濃度効果)
• 11a-H-13 GaAsの遠赤外光伝導(III)(線巾の濃度・磁場依存性)
• InSbの高圧下のHall効果 : 半導体 (化合物, その他)
• 1a-Pβ-18 不純物帯の遠赤外分光(温度効果)IV

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク