6a-A2-3 量子化ホール抵抗の高精度測定I
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-09-16
著者
-
長島 直樹
学習院大理
-
若林 淳一
学習院大理
-
吉広 和夫
電総研
-
稲垣 勝哉
電総研
-
山内 睦子
電総研
-
木下 攘止
電総研
-
川路 紳治
学習院大・理
-
長島 直樹
学習院大・理
-
菊池 信恭
学習院大・理
-
若林 淳一
学習院大・理
-
Rickts B.W.
CSIRO-NML
関連論文
- 31a-Z-2 量子化ホール抵抗の高精度測定IV
- 高精度電気抵抗測定--量子化ホ-ル抵抗の10-8レベルの相対測定 (極限計測技術)
- 4a-C-8 量子化ホール抵抗の高精度測定 III
- 3a-F-2 量子化ホール抵抗の高精度測定 V
- 6a-A2-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(II)
- 6a-A2-3 量子化ホール抵抗の高精度測定I
- 28a-R-9 電流量子現像の観測 (II)
- 27p-G-1 Si-MOSFETの電気伝導度のFluctuations(II)
- 28p-A-4 磁界中での二次元電子系の局在
- 3p-F-12 量子ホール効果状態における低周波雑音
- 3a-A-19 量子ホール効果の精密測定III
- 1p-KH-6 量子ホール効果の精密測定II
- 13p-E-8 量子ホール効果の精密測定
- 2p-A-8 Si-MOSFETのHall効果の精密測定 V
- 2p-A-7 Si-MOSFETの量子ホール抵抗の10mk付近での測定
- 2p-A-6 mK温度域のSi-MOS反転層の電気伝導
- 1a-Pα-23 Liq.^3He温度におけるSi-MOSFETのHall抵抗
- 5a-NL-9 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定IV
- 5a-NL-8 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定III
- 28a-F-2 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果;活性化エネルギ-III
- 28p-A-7 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギー
- 3p-DS-15 n-KTaO_3の重い電子と軽い電子のフェルミ面
- 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
- 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
- 30a-M-6 GaAs-Ga_Al_xAsヘテロ構造の量子ホール効果の精密測定
- 4a-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
- 4p-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
- 28a-C-4 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・V
- 3a-F-3 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・III
- 31a-Z-1 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・II
- 30a-M-7 半導体 / Langmuir-Blogett膜MIS構造の量子ホール効果
- 3a-A-17 シリコンMOS反転層の負磁気抵抗と谷間散乱
- 2p-R-5 量子極限におけるn-InSbの縦磁気抵抗
- 9a-H-6 Fluctuationによるトンネル電流の増加 II
- GaAs/AlGaAs界面2次元電子系の分数量子ホ-ル効果 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の物性)
- 30a-RB-10 Si-MOSFETn型反転層における非弾性散乱時間と谷間散乱
- 4a-C-6 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在
- 6a-A2-2 ν
- 26a-ZH-3 量子ホール効果の精密測定
- 29p-X-5 量子化ホール抵抗の精密測定(3)
- 新しい巨視的量子効果--電子1個の増減で働く機能素子ができるか?
- 13p-E-6 Si-MOS反転層の極低温・強磁場電気伝導
- 量子ホ-ル効果と微細構造定数
- 30p-K-8 Si-MOS反転層内の電子のHall効果の精密測定
- 1p-KH-7 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導
- 13p-E-7 Si-MOS界面2次元系の強局在領域の電気伝導
- 34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
- 27p-N-3 量子ホール抵抗の温度,磁場,基板バイアス及び周波数依存
- 27p-N-3 量子ホール抵抗の温度, 磁場, 基板バイアス及び周波数依存
- 30p-K-4 強磁場下のシリコンN(001)反転層のホール効果と電子局在
- 28a-E-5 Si-MOS反転層の強磁場ホール効果の温度依存
- 2a GA-3 Si(001) 近傍面MOS反転層の伝導特性 (II)
- 2a GA-2 Si(100) MOS反転層の谷分裂
- 5p-DR-18 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導;Hall効果
- 5p-DR-17 Si(100)近傍面MOS反転層の伝導特性
- 31p-CA-11 Si-反転層のシュブニコフ・ド・ハース効果の角度依存
- 12a-H-5 SiMOS反転層の強磁場電気伝導:局在状態
- 12a-H-4 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導;Hall効果
- 4p-K-21 Si-MOS反転層の強磁場伝導
- 7p-B-3 Si-MOS反転層の局在状態II,強磁場伝導
- 強磁場下のSi-MOS反転層におけるσ_=0状態の性質(実験)- Wigner結晶?(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
- 5a-NL-7 Si-MOS反転層内電子のHall効果の精密測定II
- 14aM-5 シリコン表面反転層の量子輸送;ホール効果
- 4a-KL-13 シリコン表面の量子伝導-ホール効果-
- 電磁気精密測定国際会議 (CPEM'92)報告
- 3a-BJ-5 n 型 KtaO_3 の Shubnikov-de Haas 効果とバンド構造
- 3p-D-10 Fluctuation Pairingによるトンネル電流の増加
- 11a-P-4 p-Geのホットエレクトロン領域における異常磁気抵抗効果
- 6a-K-2 p-Geの300Gc帯における吸収
- 6a-K-1 p-Geのサブミリ波光電効果 II
- 8a-B-9 Ga-doped Geのサブミリ波光電効果
- 4p-U-4 p-Geの低温におけるホール効果
- 12a-F-11 高濃度域不純物伝導の電流磁気効果 (II)
- 12a-F-9 中間濃度域不純物伝導の遠赤外吸収 (III)
- 3a-R-12 不純物伝導における遠赤外反射
- 中間濃度域不純物伝導と遠赤外吸収
- 4p-KL-8 n型InSbの負の磁気抵抗縦効果 IV
- 23p-G-2 n型InSbの負の磁気抵抗縦効果 III
- 量子ホ-ル効果--その普遍性に物性的限界があるか?
- 3a-F-1 Si-MOSFETとGaAsヘテロ構造の量子ホール効果
- 27p-N-2 量子ホール効果の精密測定
- 27p-N-2 量子ホール効果の精密測定
- 8a-B-8 金属型不純物伝導を示すp-Geの量子効果の異方性
- 4p-U-5 Ga-doped Geの高濃度不純物伝導域におけるShubnikov-de Haas効果
- 7a-U-5 Si-n型表面反転層の強磁場ホール効果
- 11a-F-4 低温・強磁場下のSi表面反転層への量子輸送
- 2p-L1-8 v
- 30a-LD-6 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギーII(半導体)
- 1p-L4-8 電流量子化の観測(III)(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 30a-LD-2 Si-MOSFETの電気伝導度のfluctuations(半導体)
- 3a-L2-1 SiMOSFETの電気伝導度のfluctuations(III)(半導体,(MOS,黒リン))
- 30a-LD-1 強磁場下のSi-MOS2次元系の対角ならびにホール伝導率のスケーリング則(半導体)
- 1p-D2-3 量子ホール効果の精密測定IV(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
- 28p-G-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 28p-G-6 v=1/7における分数量子ホール効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 29p-FC-5 量子化ホールステップの幅(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 29p-FC-1 分数量子ホール効果 : 実験(特別講演,29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 29p-FC-6 シリコンMOS反転層の強磁場電気伝導 : 低周波依存(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 30p-LB-13 電流量子化現象の観測(低温)
- 28a-A-6 微粒子ジョセフソン接合における電流の量子化(低温シンポジウム)