30a-RB-10 Si-MOSFETn型反転層における非弾性散乱時間と谷間散乱

元データ 1986-09-12 社団法人日本物理学会

著者

長島 直樹 学習院大理
川路 紳治 学習院大理

関連論文

▼もっと見る