中間濃度域不純物伝導と遠赤外吸収
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1975-01-05
著者
関連論文
- 31a-Z-2 量子化ホール抵抗の高精度測定IV
- 4a-C-8 量子化ホール抵抗の高精度測定 III
- 3a-F-2 量子化ホール抵抗の高精度測定 V
- 6a-A2-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(II)
- 6a-A2-3 量子化ホール抵抗の高精度測定I
- 28a-R-9 電流量子現像の観測 (II)
- 27p-G-1 Si-MOSFETの電気伝導度のFluctuations(II)
- 28p-A-4 磁界中での二次元電子系の局在
- 3p-F-12 量子ホール効果状態における低周波雑音
- 3a-A-19 量子ホール効果の精密測定III
- 1p-KH-6 量子ホール効果の精密測定II
- 13p-E-8 量子ホール効果の精密測定
- 2p-A-8 Si-MOSFETのHall効果の精密測定 V
- 2p-A-7 Si-MOSFETの量子ホール抵抗の10mk付近での測定
- 2p-A-6 mK温度域のSi-MOS反転層の電気伝導
- 1a-Pα-23 Liq.^3He温度におけるSi-MOSFETのHall抵抗
- 5a-NL-9 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定IV
- 5a-NL-8 SiMOS反転層内電子のHall効果の精密測定III
- 3p-DS-15 n-KTaO_3の重い電子と軽い電子のフェルミ面
- 30a-M-6 GaAs-Ga_Al_xAsヘテロ構造の量子ホール効果の精密測定
- 30a-M-7 半導体 / Langmuir-Blogett膜MIS構造の量子ホール効果
- 23a-G-13 n-InSbのエネルギー緩和II
- 6p-M-4 n-InSbのエネルギー緩和
- 2p-R-5 量子極限におけるn-InSbの縦磁気抵抗
- 9a-H-6 Fluctuationによるトンネル電流の増加 II
- 26a-ZH-3 量子ホール効果の精密測定
- 29p-X-5 量子化ホール抵抗の精密測定(3)
- 新しい巨視的量子効果--電子1個の増減で働く機能素子ができるか?
- 量子ホ-ル効果と微細構造定数
- 30p-K-8 Si-MOS反転層内の電子のHall効果の精密測定
- 5a-NL-7 Si-MOS反転層内電子のHall効果の精密測定II
- 電磁気精密測定国際会議 (CPEM'92)報告
- 23p-G-1 中間濃度域不純物伝導の遠赤外光電効果
- 3a-BJ-5 n 型 KtaO_3 の Shubnikov-de Haas 効果とバンド構造
- 3p-D-10 Fluctuation Pairingによるトンネル電流の増加
- 11a-P-4 p-Geのホットエレクトロン領域における異常磁気抵抗効果
- 6a-K-2 p-Geの300Gc帯における吸収
- 6a-K-1 p-Geのサブミリ波光電効果 II
- 8a-B-9 Ga-doped Geのサブミリ波光電効果
- 4p-U-4 p-Geの低温におけるホール効果
- 12a-F-11 高濃度域不純物伝導の電流磁気効果 (II)
- 12a-F-9 中間濃度域不純物伝導の遠赤外吸収 (III)
- 3a-R-12 不純物伝導における遠赤外反射
- 中間濃度域不純物伝導と遠赤外吸収
- 13a-W-7 高濃度域不純物伝導の電流磁気効果
- 13a-W-4 中間濃度域不純物伝導の遠赤外吸収 II
- 4p-KL-8 n型InSbの負の磁気抵抗縦効果 IV
- 4p-KL-5 中間濃度域不純物伝導の遠赤外吸収
- 23p-G-2 n型InSbの負の磁気抵抗縦効果 III
- 量子ホ-ル効果--その普遍性に物性的限界があるか?
- 3a-F-1 Si-MOSFETとGaAsヘテロ構造の量子ホール効果
- 27p-N-2 量子ホール効果の精密測定
- 27p-N-2 量子ホール効果の精密測定
- 8a-B-8 金属型不純物伝導を示すp-Geの量子効果の異方性
- 4p-U-5 Ga-doped Geの高濃度不純物伝導域におけるShubnikov-de Haas効果
- 1p-L4-8 電流量子化の観測(III)(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 30a-LD-2 Si-MOSFETの電気伝導度のfluctuations(半導体)
- 3a-L2-1 SiMOSFETの電気伝導度のfluctuations(III)(半導体,(MOS,黒リン))
- 1p-D2-3 量子ホール効果の精密測定IV(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
- 28p-G-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 29p-FC-5 量子化ホールステップの幅(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 30p-LB-13 電流量子化現象の観測(低温)
- 28a-A-6 微粒子ジョセフソン接合における電流の量子化(低温シンポジウム)