若林 淳一 | 学習院大理
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概要
関連著者
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若林 淳一
学習院大理
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川路 紳治
学習院大理
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吉広 和夫
電総研
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稲垣 勝哉
電総研
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山内 睦子
電総研
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若林 淳一
学習院大・理
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川路 紳治
学習院大・理
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木下 攘止
電総研
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深瀬 哲郎
東北大金研
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小池 洋二
東北大金研
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榊 裕之
東大生研
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楠田 公明
学習院大・理
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平川 一彦
東大生研
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長島 直樹
学習院大理
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深野 敦之
学習院大理
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後藤 貴之
上智大理工
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後藤 貴行
東北大金研
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深野 敦之
学習院大・理
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榊 裕之
東大生産研
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村山 泰
電総研
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数藤 哲
学習院大理
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吉野 淳二
東大生研
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滋野 博之
学習院大理
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村山 泰
電子技術総合研究所
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後藤 貴行
上智大理工
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小池 洋二
東北大工
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平川 一彦
東大生産研
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遠藤 忠
電総研
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菊池 信恭
学習院大・理
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小柳 正男
電総研
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片野 築
学習院大理
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森山 次郎
学習院大・理
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楠田 公明
学習院大理
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並木 優幸
学習院大・理
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大類 隆博
学習院大 理
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伊達 宗和
Ntt 入出力システム研究所
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伊達 宗和
日本電信電話株式会社nttサイバースペース研究所
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伊達 宗和
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
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伊達 宗和
学習院大理
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伊達 宗和
日本電信電話(株)
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木下 壌止
電総研
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Date Munekazu
Ntt Cyber Space Laboratories Ntt Corporation
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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吉野 淳二
東工大院理工
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菊池 信恭
学習院大理
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久保木 慶樹
学習院大理
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南部 利明
学習院大理
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大類 隆博
学習院大理
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前田 健司
学習院大・理
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片野 築
学習院大・理
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滋野 博之
学習院大・理
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五十嵐 達治
学習院大理
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並木 優幸
学習院大理
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長島 直樹
学習院大・理
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Rickts B.W.
CSIRO-NML
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森山 次郎
学習院大理
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柴垣 真果
学習院大・理
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馬場 俊祐
学習院大理
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平川 一彦
東京大
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平川 和彦
東大生産研
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南部 利明
学習院大・理
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久保木 慶樹
学習院大・理
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藤原 敦
学習院大・理
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石原 寛之
学習院大・理
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岡村 亨
学習院大・理
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川端 勝則
学習院大・理
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川路 紳二
学習院大理
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木下 嬢止
電総研
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丸岡 正典
学習院大理
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川路 伸治
学習院大理
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長谷川 憲一
学習院大理
著作論文
- 31a-Z-2 量子化ホール抵抗の高精度測定IV
- 4a-C-8 量子化ホール抵抗の高精度測定 III
- 3a-F-2 量子化ホール抵抗の高精度測定 V
- 6a-A2-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(II)
- 6a-A2-3 量子化ホール抵抗の高精度測定I
- 27p-G-1 Si-MOSFETの電気伝導度のFluctuations(II)
- 28p-A-4 磁界中での二次元電子系の局在
- 3p-F-12 量子ホール効果状態における低周波雑音
- 3a-A-19 量子ホール効果の精密測定III
- 1p-KH-6 量子ホール効果の精密測定II
- 13p-E-8 量子ホール効果の精密測定
- 28a-F-2 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果;活性化エネルギ-III
- 28p-A-7 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギー
- 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
- 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
- 4a-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
- 4p-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
- 28a-C-4 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・V
- 3a-F-3 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・III
- 31a-Z-1 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・II
- GaAs/AlGaAs界面2次元電子系の分数量子ホ-ル効果 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の物性)
- 4a-C-6 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在
- 6a-A2-2 ν
- 13p-E-6 Si-MOS反転層の極低温・強磁場電気伝導
- 1p-KH-7 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導
- 13p-E-7 Si-MOS界面2次元系の強局在領域の電気伝導
- 34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
- 27p-N-3 量子ホール抵抗の温度,磁場,基板バイアス及び周波数依存
- 27p-N-3 量子ホール抵抗の温度, 磁場, 基板バイアス及び周波数依存
- 30p-K-4 強磁場下のシリコンN(001)反転層のホール効果と電子局在
- 28a-E-5 Si-MOS反転層の強磁場ホール効果の温度依存
- 2a GA-3 Si(001) 近傍面MOS反転層の伝導特性 (II)
- 2a GA-2 Si(100) MOS反転層の谷分裂
- 5p-DR-18 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導;Hall効果
- 5p-DR-17 Si(100)近傍面MOS反転層の伝導特性
- 31p-CA-11 Si-反転層のシュブニコフ・ド・ハース効果の角度依存
- 12a-H-5 SiMOS反転層の強磁場電気伝導:局在状態
- 12a-H-4 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導;Hall効果
- 4p-K-21 Si-MOS反転層の強磁場伝導
- 7p-B-3 Si-MOS反転層の局在状態II,強磁場伝導
- 強磁場下のSi-MOS反転層におけるσ_=0状態の性質(実験)- Wigner結晶?(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
- 14aM-5 シリコン表面反転層の量子輸送;ホール効果
- 4a-KL-13 シリコン表面の量子伝導-ホール効果-
- 7a-U-5 Si-n型表面反転層の強磁場ホール効果
- 11a-F-4 低温・強磁場下のSi表面反転層への量子輸送
- 2p-L1-8 v
- 30a-LD-6 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギーII(半導体)
- 30a-LD-2 Si-MOSFETの電気伝導度のfluctuations(半導体)
- 3a-L2-1 SiMOSFETの電気伝導度のfluctuations(III)(半導体,(MOS,黒リン))
- 30a-LD-1 強磁場下のSi-MOS2次元系の対角ならびにホール伝導率のスケーリング則(半導体)
- 28p-G-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 28p-G-6 v=1/7における分数量子ホール効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 29p-FC-5 量子化ホールステップの幅(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 29p-FC-1 分数量子ホール効果 : 実験(特別講演,29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 29p-FC-6 シリコンMOS反転層の強磁場電気伝導 : 低周波依存(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))