深野 敦之 | 学習院大理
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概要
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著作論文
- コルビノ型試料を用いた量子ホール効果のブレークダウンの測定
- 3a-E-6 GaAs/AlGaAs 2次元系の量子ホール効果のブレークダウン
- 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性
- コルビノ型試料を用いた量子ホール効果のブレークダウンの測定
- 3a-Eー8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン
- 4a-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
- 4p-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
- 31a-Z-1 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・II
- 量子化ホール抵抗とブレークダウン
- GaAs/AlGaAs FETでの量子ホール効果・絶縁体転移
- 4a-C-6 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在
- 6a-A2-2 ν
- 28p-G-6 v=1/7における分数量子ホール効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 3a-E-8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
- 3a-E-6 GaAs/AlGaAs 2次元系の量子ホール効果のブレークダウン(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)