川路 紳治 | 学習院大 理

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概要

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• 川路 紳治

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• 川路 紳治

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• 岡本 徹

  学習院大 理

• 佐藤 収一

  学習院大 理

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  学習院大理

• 島田 貴子

  学習院大 理

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  学習院大理

• 小林 秋男

  通研

• 謝花 良貴

  学習院大 理

• 細谷 邦雄

  学習院大 理

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  学習院大理

• 飯塚 恒充

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• 久我 剛

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• 飯塚 恒充

  学習院大理

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  学習院大理

• 岡本 徹

  東大理

• 深野 敦之

  学習院大 理

• 森田 清明

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  学習院大理

• 深野 敦之

  学習院大・理

• 関澤 俊弦

  学習院大理

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• 鈴木 純児

  学習院大 理

• 小林 秋男

  電気通信研

• 荒田 光

  通研

• 平川 一彦

  東大生研

• 榊 裕之

  東大生産研

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• 深瀬 哲郎

  東北大金研

• 横井 理秀

  学習院大 理

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• 岡本 徹

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• 榊 裕之

  東京大学生産技術研究所

• 榊 裕之

  東京大学先端科学技術研究センター

• 平川 一彦

  東大生産研

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 油谷 明栄

  東大先端研

• 白木 靖寛

  東大先端研

• 西澤 若菜

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• 平川 一彦

  東京大

• 篠原 克徳

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• 篠原 克徳

  学習院大学理学部

• 後藤 貴行

  上智大理工

• 本河 光博

  東北大金研

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• 左近 拓男

  東北大金研

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  上智大理工

• 後藤 貴行

  東北大金研

• 謝花 良貴

  学習院大理

• 鈴木 純児

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• 榊 裕之

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• 金森 順次郎

  阪大

• 吉田 正幸

  通研

• 杉山 耕一

  通研

• 内田 清隆

  学習院大 理

• 内田 清隆

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• 深野 敦之

  学習院大理

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  北大工

• 早川 和延

  日立中研

• 山本 恵彦

  日立中研

• 金森 順次郎

  阪大理

• 宇佐美 誠二

  横浜国立大学工学部

• 宇佐美 誠二

  横浜国大工

• 織田 善次郎

  通研

• 小林 秋男

  通 研

• 織田 善次郎

  通 研

• 荒田 光

  通 研

• 杉山 耕一

  通 研

• 川口 洋一

  学習院女子短大

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  学習院女子大学

• 林 健二

  学習院大 理

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• 納谷 明彦

  学習院大

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著作論文

• 28a-R-13 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質
• コルビノ型試料を用いた量子ホール効果のブレークダウンの測定
• 30p-Q-4 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊II
• 30p-Q-3 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性III
• 8a-N-5 量子ホール抵抗の高電流による崩壊
• 8a-N-4 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性 II
• 8a-N-5 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊
• 8a-N-4 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性II
• 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性
• 9a-M-5 Geの表面伝導
• 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
• 27p-G-2 InAs MISFET n型反転層の電気伝導
• 26p-YG-13 ホール電場に依存する量子化ホール抵抗の崩壊現象と高精度量子化ホール・バーの2抵抗体1次元超格子模型
• 26p-YG-13 ホール電場に依存する量子化ホール抵抗の崩壊現象と高精度量子化ホール・バーの2抵抗体1次元超格子模型
• 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
• 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
• 30a-Q-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs2次元系の複合フェルミオンの電気的性質II
• 29p-Y-4 量子化ホール抵抗とブレークダウン
• GaAs/AlGaAs FETでの量子ホール効果・絶縁体転移
• 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
• 26p-YG-7 シリコンMOSFETにおける金属・絶縁体転移と磁場効果
• 26p-YG-7 シリコンMOSFETにおける金属・絶縁体転移と磁場効果
• 第2回固体表面国際会議
• 28a-R-7 Si-MOSFET2次元電子系における強局在領域での磁気抵抗
• 28a-R-7 Si-MOSFET 2次元電子系における強局在領域での磁気抵抗
• 3a-E-2 SiーMOSFETの巨大磁気抵抗の角度依存性
• SiP-N JunctionのGeneration-Recombination Center II : 半導体 : ダイオード
• 安定化させたSi表面の電気的性I ; 高温酸化、低温酸化、樹脂保護膜 : 半導体 : 表面
• 空気中で劈開したSi表面の電気的性質 : 半導体 : 輸送
• 6a-F-5 Si P-N JunctionのDeep Trap Level
• Siの表面再結合中心とその電気的性質II : 半導体(表面, 理論)
• Siの表面再結合中心とその電気的性質I : 半導体(表面, 理論)
• 15a-G-9 SiP-N接合の格子欠陥と生成 : 再結合中心
• せまい表面空間電荷層内のキャリア移動度に対する磁場の効果 : 半導体
• 29a-M-7 不規則ポテンシャルによる量子ホール効果状態の崩壊
• 29a-M-7 不規則ポテンシャルによる量子ホール効果状態の崩壊
• Si表面の電気的性質と仕事函数 : 半導体(表面, 理論)
• Ge清浄劈開面の電気的磁気的効果 : 半導体(不純物伝導)
• 2a-N-3 半導体界面ウィグナー固体における多体交換とアハラノフ・ボーム効果
• 2a-N-3 半導体界面ウィグナー固体における多体交換とアハラノフ・ボーム効果
• n type CdTeの(III)面と(iii)面の表面準位の研究 : 表面物理
• 28a-R-8 Si-MOSFET2次元局在電子系における環状3体交換相互作用とAB効果II
• 28a-R-8 Si-MOSFET2次元局在電子系における環状3体交換相互作用とAB効果 II

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