吉田 正幸 | 通研
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概要
関連著者
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吉田 正幸
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斎藤 健
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小泉 晴彦
学習院大理
著作論文
- 10a-Q-13 SiへのAu拡散における空格子発生源
- 15a-G-12 シリコン中の金の挙動(III)
- 3p-L-2 シリコン中のAuの挙動(II)
- Si中のAuの挙動 : 格子欠陥
- Si中のNi(半導体(拡散,エピタキシー)
- 4a-A-8 Si中のNiの挙動
- SiへのNiの固溶度 II : 半導体
- 7p-L-11 SiへのNiの固溶度
- Ge・放射線損傷[II] : XIV. 格子欠陥
- 19K-11 Geの熱効果と放射線損傷 〔1〕
- Si中のinterstitial Niとsubstitutional Ni : 応用半導体
- 2a-TA-3 解離拡散方程式の数値解
- 3a-G-9 チャネリング法などによるSi中の拡散金の位置決定
- 解離拡散における空孔および格子間原子平衡の條件 : 格子欠陥
- 15a-G-11 Si p-n接合でのすべりおよび上昇運動による転位の発生
- 15a-G-9 SiP-N接合の格子欠陥と生成 : 再結合中心
- Si中の不純物のDissociative diffusion : 格子欠陥
- 3p-M-5 Knocked-on atomの飛跡