佐藤 収一 | 学習院大 理

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概要

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著作論文

• SiP-N JunctionのGeneration-Recombination Center II : 半導体 : ダイオード
• 安定化させたSi表面の電気的性I ; 高温酸化、低温酸化、樹脂保護膜 : 半導体 : 表面
• 空気中で劈開したSi表面の電気的性質 : 半導体 : 輸送
• 6a-F-5 Si P-N JunctionのDeep Trap Level
• Siの表面再結合中心とその電気的性質II : 半導体(表面, 理論)
• Siの表面再結合中心とその電気的性質I : 半導体(表面, 理論)
• 15a-G-9 SiP-N接合の格子欠陥と生成 : 再結合中心
• Si表面の電気的性質と仕事函数 : 半導体(表面, 理論)
• n type CdTeの(III)面と(iii)面の表面準位の研究 : 表面物理

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