佐藤 収一 | 学習院大理

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著作論文

• SiP-N JunctionのGeneration-Recombination Center II : 半導体 : ダイオード
• 安定化させたSi表面の電気的性I ; 高温酸化、低温酸化、樹脂保護膜 : 半導体 : 表面
• 空気中で劈開したSi表面の電気的性質 : 半導体 : 輸送
• 6a-F-5 Si P-N JunctionのDeep Trap Level
• Siの表面再結合中心とその電気的性質II : 半導体(表面, 理論)
• Siの表面再結合中心とその電気的性質I : 半導体(表面, 理論)
• 15a-G-9 SiP-N接合の格子欠陥と生成 : 再結合中心
• 12a-K-6 Si表面準位の熱処理効果(II)
• Stain Filmの性質 : 半導体(表面)
• 安定化させたSi表面の電気的性貭II : 高温酸化,低温酸化(Stain Filmの酸化)} : 半導体 : 結晶成長
• SiP-N junctionのGeneration-Recombination Center III : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• Si表面の電気的性質と仕事函数 : 半導体(表面, 理論)
• Si-P-N Junction のGeneration-Recombination Center IV : 半導体・イオン結晶・光物性
• 安定化させたSi表面の電気的性質III : 表面準位と酸化膜中の電荷 : 半導体(表面)
• n type CdTeの(III)面と(iii)面の表面準位の研究 : 表面物理
• CdTeのA,B面の電気的性質II(半導体(化合物))
• 4p-A-10 CdTeのA,B面の電気的性質I

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