荒田 光 | 通研
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概要
関連著者
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荒田 光
通研
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小林 秋男
通研
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織田 善次郎
通研
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川路 紳治
学習院大 理
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杉山 耕一
通研
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川路 紳治
学習院大理
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吉田 正幸
通研
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照沼 幸雄
武蔵野通研
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佐藤 収一
学習院大 理
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佐藤 安夫
通研
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佐藤 収一
学習院大理
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吉田 正幸
武蔵野通研
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照沼 幸雄
通研
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小林 秋男
電気通信研
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杉山 耕一
電気通信研
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織田 善次郎
電気通信研
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荒田 光
電気通信研
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小林 秋男
通 研
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織田 善次郎
通 研
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荒田 光
通 研
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杉山 耕一
通 研
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織田 善次郎
電通研
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荒田 光
電通研
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小林 秋男
電通研
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荒田 光
日本電信電話公社電気通信研究所
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鈴木 文武
通研
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吉田 俊夫
通研
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小泉 晴彦
学習院大 理
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浅川 俊文
通研
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小泉 晴彦
学習院大理
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鈴木 丈戌
通研
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砂沢 学
通研
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織田 善次郎
日本電信電話公社電気通信研究所
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浅川 俊文
通研:(現)三菱電機研究所北伊丹分室
著作論文
- イオン衝撃及び焼俣しによるゲルマニウム表面の格子欠陥 : 半導体
- イオン衝撃による清浄Ge表面の伝導 : 半導体
- 9a-M-5 Geの表面伝導
- 安定化させたSi表面の電気的性I ; 高温酸化、低温酸化、樹脂保護膜 : 半導体 : 表面
- 20L-20 Geの表面伝導
- 15a-G-11 Si p-n接合でのすべりおよび上昇運動による転位の発生
- 15a-G-9 SiP-N接合の格子欠陥と生成 : 再結合中心
- Si中の不純物の二重拡散による押し出し効果 : 応用半導体
- シリコンにおける押し出し効果II : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- 8a-B-10 イオン衝撃によるSiの表面処理
- 油拡散ポンプとソープションポンプより成る超高真空系