シリコンにおける押し出し効果II : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1965-10-10
著者
関連論文
- イオン衝撃及び焼俣しによるゲルマニウム表面の格子欠陥 : 半導体
- イオン衝撃による清浄Ge表面の伝導 : 半導体
- 9a-M-5 Geの表面伝導
- 安定化させたSi表面の電気的性I ; 高温酸化、低温酸化、樹脂保護膜 : 半導体 : 表面
- 20L-20 Geの表面伝導
- PbTeの熱処理効果II : 半導体(化合物)
- PbTeの熱処理効果(半導体(化合物))
- PbTeに於ける圧力効果(II)(半導体(電流,磁気,歪))
- 8p-A-4 PbTeの電気的性質に対する圧力効果
- 15a-G-11 Si p-n接合でのすべりおよび上昇運動による転位の発生
- 15a-G-9 SiP-N接合の格子欠陥と生成 : 再結合中心
- Si中の不純物の二重拡散による押し出し効果 : 応用半導体
- SiOで覆われたGaAsの表面 : 半導体 : 結晶,表面
- GaAs中のZnの拡散 : 半導体 : 結晶,表面
- シリコンにおける押し出し効果II : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- 8a-B-10 イオン衝撃によるSiの表面処理
- 油拡散ポンプとソープションポンプより成る超高真空系