杉山 耕一 | 通研
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概要
関連著者
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杉山 耕一
通研
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小林 秋男
通研
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織田 善次郎
通研
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荒田 光
通研
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川路 紳治
学習院大理
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川路 紳治
学習院大 理
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稲村 隆弘
通研
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小林 秋男
電気通信研
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杉山 耕一
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織田 善次郎
電気通信研
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荒田 光
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小林 秋男
通 研
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織田 善次郎
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荒田 光
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杉山 耕一
通 研
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稲村 隆弘
電々公社電気通信研究所
著作論文
- n型GaAs中のトラップ : 半導体・イオン結晶・光物性
- 不純物伝導におけるピエゾ抵抗効果(p-型ゲルマニウム) : 半導体(Si, Ge)
- 7a-A-2 不純物伝導のピエゾ抵抗効果 : P-型Ge
- Geの不純物伝導におけるピエゾ抵抗効果 II : 磁場依存性 : 半導体
- Geの不純物伝導におけるピエブ抵抗効果 I. : 補償度依存性 : 半導体
- 4p-L-6 不純物伝導領域におけるピエゾ抵抗効果
- 10p-A-6 Geの不純物伝導領域におけるピエゾ磁気抵抗効果
- イオン衝撃及び焼俣しによるゲルマニウム表面の格子欠陥 : 半導体
- イオン衝撃による清浄Ge表面の伝導 : 半導体
- 9a-M-5 Geの表面伝導