岡本 徹 | 学習院大理
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概要
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著作論文
- 28a-R-13 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質
- コルビノ型試料を用いた量子ホール効果のブレークダウンの測定
- 3a-E-6 GaAs/AlGaAs 2次元系の量子ホール効果のブレークダウン
- 30p-Q-4 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊II
- 30p-Q-3 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性III
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- 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性
- コルビノ型試料を用いた量子ホール効果のブレークダウンの測定
- 3a-Eー8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン
- 12a-K-9 量子ホール効果のブレークダウン
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- 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
- 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
- 28a-ZB-6 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊III
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- 30a-Q-8 低温強磁場下のGaAs/AIGaAs2次元系の複合フェルミオンの電気的性質II
- 量子化ホール抵抗とブレークダウン
- 29a-M-9 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウンII
- 29a-M-9 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウン II
- 4a-J-13 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウン
- 4p-J-14 量子化ホール抵抗の高精度測定
- 4p-J-13 GaAs/AlGaAsヘテロ接合の量子ホール効果のブレークダウン
- 23aL-8 分数量子ホール効果の高精度測定
- GaAs/AlGaAs FETでの量子ホール効果・絶縁体転移
- 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
- 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
- 22pL-7 2次元系の金属・絶縁体転移とスピン自由度
- 26a-ZH-2 量子ホール効果状態におけるプラトー巾の試料巾依存性
- 29a-M-14 シリコンMOS2次元電子系における強磁場量子極限領域での局在現象II
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- 4a-J-12 シリコンMOS 2次元電子系における強磁場量子極限領域での局在現象
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- 28p-L-13 Si-MOS二次元電子系の局在現象II
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- 12a-K-11 シリコンMOS二次元電子系の局在現象
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- 2a-N-3 半導体界面ウィグナー固体における多体交換とアハラノフ・ボーム効果
- 5p-PSA-21 ウィグナー固体の磁性とAharonov-Bohm効果
- Si-MOSFET2次元局在電子系における環状3体交換相互作用とAB効果
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- 3a-E-2 Si-MOSFETの巨大磁気抵抗の角度依存性(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
- 3a-E-8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
- 3a-E-6 GaAs/AlGaAs 2次元系の量子ホール効果のブレークダウン(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)