3a-E-8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)

元データ 1996-03-15 一般社団法人日本物理学会

著者

平川 一彦 東大生研
川路 紳治 学習院大理
深瀬 哲郎 東北大金研
後藤 貴行 東北大金研
鈴木 純児 学習院大理
岡本 徹 学習院大理
内田 清隆 学習院大理
深野 敦之 学習院大理

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