3a-E-8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1996-03-15

著者

• 平川 一彦

  東大生研

• 川路 紳治

  学習院大理

• 深瀬 哲郎

  東北大金研

• 後藤 貴行

  東北大金研

• 鈴木 純児

  学習院大理

• 岡本 徹

  学習院大理

• 内田 清隆

  学習院大理

• 深野 敦之

  学習院大理

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