岡本 徹 | 学習院大 理
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概要
関連著者
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岡本 徹
学習院大 理
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学習院大 理
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学習院大 理
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鈴木 純児
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深瀬 哲郎
東北大金研
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横井 理秀
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岡本 徹
学習院大理
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白木 靖寛
都市大総研
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油谷 明栄
東大先端研
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白木 靖寛
東大先端研
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西澤 若菜
学習院大 理
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学習院大理
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篠原 克徳
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篠原 克徳
学習院大学理学部
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後藤 貴行
上智大理工
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本河 光博
東北大金研
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平川 一彦
東大生研
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大類 隆博
学習院大 理
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榊 裕之
東大生産研
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左近 拓男
東北大金研
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後藤 貴之
上智大理工
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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東北大金研
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謝花 良貴
学習院大理
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鈴木 純児
学習院大理
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榊 裕之
東京大学生産技術研究所
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東京大学先端科学技術研究センター
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平川 一彦
東大生産研
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林 健二
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奥野 丈晴
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金子 桂
東大物性研
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湯谷 明栄
東大先端研
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平川 一彦
東京大
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大河原 吉貴
学習院大 理
著作論文
- 28a-R-13 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質
- コルビノ型試料を用いた量子ホール効果のブレークダウンの測定
- 30p-Q-4 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊II
- 30p-Q-3 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性III
- 8a-N-5 量子ホール抵抗の高電流による崩壊
- 8a-N-4 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性 II
- 8a-N-5 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊
- 8a-N-4 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性II
- 量子ホール効果状態での活性化エネルギーのホール電場依存性
- 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
- 26p-YG-13 ホール電場に依存する量子化ホール抵抗の崩壊現象と高精度量子化ホール・バーの2抵抗体1次元超格子模型
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- 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
- 30a-Q-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs2次元系の複合フェルミオンの電気的性質II
- 29p-Y-4 量子化ホール抵抗とブレークダウン
- GaAs/AlGaAs FETでの量子ホール効果・絶縁体転移
- 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
- 26p-YG-7 シリコンMOSFETにおける金属・絶縁体転移と磁場効果
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- 28a-R-7 Si-MOSFET2次元電子系における強局在領域での磁気抵抗
- 28a-R-7 Si-MOSFET 2次元電子系における強局在領域での磁気抵抗
- 3a-E-2 SiーMOSFETの巨大磁気抵抗の角度依存性
- 29a-M-7 不規則ポテンシャルによる量子ホール効果状態の崩壊
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- 2a-N-3 半導体界面ウィグナー固体における多体交換とアハラノフ・ボーム効果
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- 28a-R-8 Si-MOSFET2次元局在電子系における環状3体交換相互作用とAB効果II
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