4p-K-21 Si-MOS反転層の強磁場伝導

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1977-03-20

著者

• 若林 淳一

  学習院大理

• 川路 紳治

  学習院大・理

• 若林 淳一

  学習院大・理

関連論文

• 31a-Z-2 量子化ホール抵抗の高精度測定IV
• 4a-C-8 量子化ホール抵抗の高精度測定 III
• 3a-F-2 量子化ホール抵抗の高精度測定 V
• 6a-A2-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(II)
• 6a-A2-3 量子化ホール抵抗の高精度測定I
• 27p-G-1 Si-MOSFETの電気伝導度のFluctuations(II)
• 28p-A-4 磁界中での二次元電子系の局在
• 3p-F-12 量子ホール効果状態における低周波雑音
• 3a-A-19 量子ホール効果の精密測定III
• 1p-KH-6 量子ホール効果の精密測定II
• 13p-E-8 量子ホール効果の精密測定
• 28a-F-2 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果;活性化エネルギ-III
• 28p-A-7 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギー
• 28a-E-3 シリコンMOSFETの遠赤外分光伝導特性
• 4p-B-5 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサイクロトロン共鳴吸収
• 4p-B-4 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサブバンド間遷移
• 量子化ホール抵抗の高精度測定 : 試料幅依存性
• 量子化ホール抵抗の高精度測定 : 試料幅依存性
• 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
• 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
• 4a-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
• 4p-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
• 28a-C-4 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・V
• 3a-F-3 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・III
• 31a-Z-1 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在・II
• 4a-M-6 酸化膜のないSi表面反転層の電気伝導
• 4a-H-6 InAs表面異常伝導の縦電場効果
• 2a-N-8 半導体の表面二次元伝導と表面波 IV
• 30a-RB-9 InAs表面n型反転層弱局在領域の電気伝導
• 5a-NL-4 Si-MOS(100)反転層2次元電子移動度の温度依存
• 5a-NL-2 Si-MOS二次元伝導の強電界効果と負磁気抵抗
• 30p-K-6 セシウム吸着Si表面反転層のアンダーソン局在
• 30p-K-3 シリコン(100)表面2次元電子移動度の温度依存
• 3p-B-11 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在II
• 4p-B-1 Si MOS 反転層の格子散乱移動度
• 29a-M-11 量子化ホール抵抗の高精度測定II
• 29a-M-11 量子化ホール抵抗の高精度測定 II
• 4a-J-14 量子化ホール抵抗の高精度測定
• 30p-N-11 量子化ホール抵抗の高精度測定 II
• GaAs/AlGaAs界面2次元電子系の分数量子ホ-ル効果 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の物性)
• 4p-K-8 半導体の表面二次元伝導と表面波 II
• 4a-C-6 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在
• 6a-A2-2 ν
• 13p-E-6 Si-MOS反転層の極低温・強磁場電気伝導
• 26a-ZH-1 量子化ホール抵抗の高精度測定
• 2a GA-4 Si-MOS反転層のフォノン散乱と負磁気抵抗効果
• 5p-DR-19 Si-MOSn型反転層の負磁気抵抗効果-(100)面
• 31p-CA-10 Si-MOS n型反転層の負磁気抵抗効果
• 6a-B-9 セシウム吸着シリコン表面反転層の強電界効果
• 11a-F-6 Csを吸着させたP-Si(III)表面の電気的性質
• 3p-R-11 Csを吸着させたP型Si(111)表面の電気的性質
• 14aM-6 Csを吸着させたreal Si表面の電気的性質
• 23a-G-6 Si-Csの電気的性質
• 4p-K-7 InAs表面の電流磁気効果
• 18p-A-2 InAs劈開清浄面の磁気抵抗効果
• InAs表面二次元伝導の抵抗と磁気抵抗の異常 : 半導体(不純物伝導)
• 1p-KH-7 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導
• 13p-E-7 Si-MOS界面2次元系の強局在領域の電気伝導
• 34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
• 27p-N-3 量子ホール抵抗の温度,磁場,基板バイアス及び周波数依存
• 27p-N-3 量子ホール抵抗の温度, 磁場, 基板バイアス及び周波数依存
• 30p-K-4 強磁場下のシリコンN(001)反転層のホール効果と電子局在
• 28a-E-5 Si-MOS反転層の強磁場ホール効果の温度依存
• 2a GA-3 Si(001) 近傍面MOS反転層の伝導特性 (II)
• 2a GA-2 Si(100) MOS反転層の谷分裂
• 5p-DR-18 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導;Hall効果
• 5p-DR-17 Si(100)近傍面MOS反転層の伝導特性
• 31p-CA-11 Si-反転層のシュブニコフ・ド・ハース効果の角度依存
• 12a-H-5 SiMOS反転層の強磁場電気伝導:局在状態
• 12a-H-4 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導;Hall効果
• 4p-K-21 Si-MOS反転層の強磁場伝導
• 7p-B-3 Si-MOS反転層の局在状態II,強磁場伝導
• 強磁場下のSi-MOS反転層におけるσ_=0状態の性質(実験)- Wigner結晶?(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
• 22pF-5 量子ホール効果と抵抗標準
• 14aM-5 シリコン表面反転層の量子輸送;ホール効果
• 4a-KL-13 シリコン表面の量子伝導-ホール効果-
• 4p-K-17 Si-MOS反転層の局在状態
• 半導体における準二次元電気伝導(第22回物性若手「夏の学校」開催後期・報告)
• 30p-K-5 低電子濃度領域のSi-MOS反転層の電気伝導
• 3p-B-12 低電子濃度領域のSi-MOS反転層の電気伝導
• 7a-U-5 Si-n型表面反転層の強磁場ホール効果
• 11a-F-4 低温・強磁場下のSi表面反転層への量子輸送
• 28a-E-6 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在
• 2p-L1-8 v
• 30a-LD-6 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギーII(半導体)
• 30a-LD-2 Si-MOSFETの電気伝導度のfluctuations(半導体)
• 3a-L2-1 SiMOSFETの電気伝導度のfluctuations(III)(半導体,(MOS,黒リン))
• 30a-LD-1 強磁場下のSi-MOS2次元系の対角ならびにホール伝導率のスケーリング則(半導体)
• 28p-G-4 量子化ホール抵抗の高精度測定(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 28p-G-6 v=1/7における分数量子ホール効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 29p-FC-5 量子化ホールステップの幅(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 29p-FC-1 分数量子ホール効果 : 実験(特別講演,29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 29p-FC-6 シリコンMOS反転層の強磁場電気伝導 : 低周波依存(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク