若林 淳一 | 学習院大・理

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概要

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• 川路 紳治

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• 楠田 公明

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• 滋野 博之

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• 片野 築

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• 森山 次郎

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• 前田 健司

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• 片野 築

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• 滋野 博之

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• 長島 直樹

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• 吉広 和夫

  電総研

• 稲垣 勝哉

  電総研

• 山内 睦子

  電総研

• 木下 攘止

  電総研

• 長島 直樹

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• 菊池 信恭

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• Rickts B.W.

  CSIRO-NML

• 柴垣 真果

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• 久保木 慶樹

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• 南部 利明

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• 久保木 慶樹

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• 藤原 敦

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• 岡村 亨

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• 川端 勝則

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著作論文

• 6a-A2-3 量子化ホール抵抗の高精度測定I
• 13p-E-6 Si-MOS反転層の極低温・強磁場電気伝導
• 1p-KH-7 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導
• 13p-E-7 Si-MOS界面2次元系の強局在領域の電気伝導
• 34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
• 27p-N-3 量子ホール抵抗の温度,磁場,基板バイアス及び周波数依存
• 28a-E-5 Si-MOS反転層の強磁場ホール効果の温度依存
• 2a GA-3 Si(001) 近傍面MOS反転層の伝導特性 (II)
• 2a GA-2 Si(100) MOS反転層の谷分裂
• 5p-DR-18 Si-MOS反転層の強磁場電気伝導;Hall効果
• 31p-CA-11 Si-反転層のシュブニコフ・ド・ハース効果の角度依存
• 4p-K-21 Si-MOS反転層の強磁場伝導
• 7a-U-5 Si-n型表面反転層の強磁場ホール効果
• 11a-F-4 低温・強磁場下のSi表面反転層への量子輸送

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