不純物伝導と帶磁率 : 半導体 : 雑

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1966-10-12

著者

• 佐々木 亘

  電試 田無

• 前川 稠

  電子技術総合研究所

• 前川 稠

  電試 田無

• 木下 譲止

  電試 田無

関連論文

• Journalの論文の閲読と編集をめぐって
• 半導体実験(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
• Digital Voltmeter
• D.K.C.MacDonald: Thermoelectricity, J.Wiley & Sons, Inc., New York・London 1962, 133頁, 15×22cm, \2,600.
• Roobert R.Heikes and Roland W.Ure, Jr.Ed.: Thermoelectricity Science and Engineering, Interscience Publishers, New York-London, 1961, 576頁, 15×23cm.
• Paul H.Egli ed: Thermoelectricity, John Wiley and Sons, Inc., New York and London 1960, 407頁, 15×23cm.
• 半導体実験
• 3a-F-12 Snの超伝導状態における表面抵抗
• 半導体をめぐって
• CaPbCl_3の相転移II(誘電体)
• P-doped Siのパルス法E.S.R. : 磁気共鳴
• P doped SiのESR(中間濃度領域) : 半導体 : マイクロ
• 8a-F-12 P^doped SiのESR(I) ドナー対のスピン緩和
• 8a-F-9 P^doped SiのESR (II) 交換相互作用
• BaTiO_3の低温相におけるESR : 磁気共鳴
• CsPbClにおける相転移(誘電体)
• 中間濃度域不純物伝導のホール効果(半導体(不純物伝導))
• 4p-L-2 不純物伝導における熱い電子
• 不純物帯の熱電気効果 : 半導体 : 測定法
• 6p-F-7 不純物バンドの熱電効果
• 不純物伝導の磁気抵抗 : とび歩き : 半導体
• 3p-D-5 ピコ秒大出力レーザー
• 20L-2 N型Geの熱い電子の異方性に及ぼす谷間間遷移の影響
• 20L-1 谷間間遷移が熱い電子による伝導に及ぼす影響
• 19G-8 n-型InSbの極低温に於ける電気的性質
• 4p-G-8 UHF帯におけるn-SiのESR
• 3a-F-13 ガリウム単結晶の超伝導トンネル効果 II
• 13a-K-6 不純物伝導に対する補償の影響
• 4p-G-6 不純物伝導に対する補償の影響
• N型Geの{100}内面における強電界異方性 : XX. 半導体
• 11a-A-1 n型Geの強電界異方性の温度依存性
• 不純物帯電子の電流磁界効果(低温)
• 9a-M-4 不純なn-Geの極低温での磁気抵抗
• 3a-NL-12 半導体化したPbOの電気抵抗
• 2a-TC-3 ZnS薄膜の高電界伝導 II
• 18a-A-3 多量にPを含むSiの2GHzESR
• 16a-A-2 ZnS薄膜の高電界伝導
• 不規則格子のクラスターとスピン状態 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 不規則格子と不純物伝導
• 6p-H-6 ミリ波帯におけるn-SiのESR(II)
• 13a-K-17 ミリ波帯におけるn-SiのESR
• 13a-K-12 UHF帯におけるn-SiのESRII
• 不純物伝導と帶磁率 : 半導体 : 雑
• 高温での半導体のESR : 半導体 : 雑
• 不純物を多量に添加したSiについて : 磁気共鳴シンポジウム : 動き易い電子をもった物質
• 宇宙材料実験の動向と現状
• 30.I.17 Silicocarbonの研究(III) : X線廻折と電気的性質(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク