11a-A-1 n型Geの強電界異方性の温度依存性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
Journalの論文の閲読と編集をめぐって
-
半導体実験(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
-
Digital Voltmeter
-
D.K.C.MacDonald: Thermoelectricity, J.Wiley & Sons, Inc., New York・London 1962, 133頁, 15×22cm, \2,600.
-
Roobert R.Heikes and Roland W.Ure, Jr.Ed.: Thermoelectricity Science and Engineering, Interscience Publishers, New York-London, 1961, 576頁, 15×23cm.
-
Paul H.Egli ed: Thermoelectricity, John Wiley and Sons, Inc., New York and London 1960, 407頁, 15×23cm.
-
半導体実験
-
3a-F-12 Snの超伝導状態における表面抵抗
-
半導体をめぐって
-
中間濃度域不純物伝導のホール効果(半導体(不純物伝導))
-
4p-L-2 不純物伝導における熱い電子
-
不純物帯の熱電気効果 : 半導体 : 測定法
-
6p-F-7 不純物バンドの熱電効果
-
不純物伝導の磁気抵抗 : とび歩き : 半導体
-
J.M. Ziman: Principles of the Theory of Solids, Cambridge University Press, 1964, 360頁, 15×23cm, 2,700円.
-
E. G. S. Paige: Progress in Semiconductors, Vol. 8 (The Electrical Conductivity of Germanium), Heywood, London, 1964, 244頁, 16×26cm, 4200円.
-
固体電子論
-
20L-2 N型Geの熱い電子の異方性に及ぼす谷間間遷移の影響
-
20L-1 谷間間遷移が熱い電子による伝導に及ぼす影響
-
19G-8 n-型InSbの極低温に於ける電気的性質
-
3a-F-13 ガリウム単結晶の超伝導トンネル効果 II
-
13a-K-6 不純物伝導に対する補償の影響
-
4p-G-6 不純物伝導に対する補償の影響
-
N型Geの{100}内面における強電界異方性 : XX. 半導体
-
多電子体系の一電子近似(物性基礎論)
-
11a-A-1 n型Geの強電界異方性の温度依存性
-
有機物半導体の勢力帯機構(I) : 分子内のπ電子 : 半導体
-
9a-M-1 光学モードと谷間間遷移がN型Geの強電界易動度に果す役割
-
不純物帯電子の電流磁界効果(低温)
-
9a-M-4 不純なn-Geの極低温での磁気抵抗
-
不純物伝導と帶磁率 : 半導体 : 雑
-
30.I.17 Silicocarbonの研究(III) : X線廻折と電気的性質(半導体)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク