川村 肇 | 東大物性研
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概要
関連著者
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川村 肇
東大物性研
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深井 正一
東大物性研
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今井 勇
東大・教養
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今井 勇
東大物性研
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大塚 エイ三
阪大理
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邑瀬 和生
阪大理
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関戸 健嗣
東大・物性研
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林 良一
東大物性研
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大塚 エイ三
阪大理教養
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関戸 健嗣
東大物性研
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永田 清一
阪大理
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富島 一成
三菱電機中研
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山口 和文
阪大 理
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伊藤 良一
東大物性研
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川村 肇
東大・物性研
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佐治 晴夫
東大・物性研
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井関 次郎
阪大 理
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中間 達雄
東大物性研
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深井 正一
東大 物性研
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川村 肇
東大 物性研
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富島 一成
東大物性研
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橋村 保
東大物性研
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上田 浩
日立中研
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金井 康夫
ソニー研
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山下 次郎
東大物性研
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石田 修一
阪大理
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平木 昭夫
阪大・工
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小野 周
東大教養
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松浦 悦之
昭和42年度出版委員
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松浦 悦之
東大工
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邑瀬 和生
阪大・理
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佐々木 亘
電試田無
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宮沢 久雄
東芝中研
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小林 秋男
通研
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佐々木 亘
電試 田無
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渋谷 元一
静岡大理
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木下 是雄
学習院理
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渋谷 元一
電試
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伴野 正美
日立中研
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山内 睦子
電試
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平本 昭夫
阪大工
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山口 和文
阪大理
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井関 次郎
阪大理
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井関 次郎
阪大・理
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山口 和文
阪大・理
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大塚 エイ三
阪大・理
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深井 正一
東大・物性研
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今井 勇
東大・物性研
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高野 修三
九大理
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山内 睦子
電試田無
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松浦 悦之
出版委員
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川村 肇
松下電子工業
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小野 周
東大・教養
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金井 康夫
ソニー
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永田 清一
東大物性研
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高野 修三
東大物性研
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眞隅 泰三
東京大學物性研究所
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今井 勇
東京大學物性研究所
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深井 正一
東京大學物性研究所
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川村 肇
東京大學物性研究所
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新羅 宏子
東大物性研
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川村 肇
物性研究所
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深井 正一
物性研究所
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今井 勇
物性研究所
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畠島 一成
物性研究所
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富島 一成
東大 物性研
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佐治 晴夫
東大 物性研
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川村 肇
東大.物性研
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深井 正一
東大.物性研
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林 良一
東大.物性研
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橋村 保
東大 物性研
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林 良一
東大 物性研
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宮沢 久雄
東芝・中研
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伊藤 良一
東大・物性研
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畠島 一成
三菱電機中研
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宮沢 久雄
東芝マツダ研
-
佐々木 亘
電試
著作論文
- 半導体をめぐって
- Quenched-in Vacancyを含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴II. : 非同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
- サイクロトロン共鳴とIonized Impurity Scattering(半導体(マイクロ波))
- 7p-A-3 サイクロトロン共鳴におけるIonized Impurity Scattering
- 7p-A-2 サイクロトロン共鳴におけるCarrier-Carrier interaction
- サイクロトロン共鳴によるSiの電子緩和時間の測定 : 半導体
- BiのAlfven波のShubnikov-de Haas damping : 半導体 : マイクロ
- Ge-Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴I. : 同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
- サイクロトロン共鳴に於ける荷電子帯のnon-parabolicity : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- Cyclotron共鳴によるCarrier散乱の異方性の測定 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- サイクロトロン共鳴線の巾(主題:半導体のサイクロトロン共鳴,半導体シンポジウム)
- サイクロトロン共鳴によるintervalley scatteringの研究(半導体(マイクロ波))
- 7p-A-4 Cyclotron共鳴における中性不純物散乱
- Geのhot electronのサイクロトロン共鳴 : 半導体
- 5a-L-9 n-GeのCyclotron Resonance II.
- 5a-L-8 GeのHot electronのサイクロトロン共鳴
- 12p-A-5 サイクロトロン共鳴から見た熱い電子
- 10a-A-5 Hot ElectronのCyclotron Resonance
- 10a-A-4 n-GeのCyclotron Resonance
- Geのサイクロトロン共鳴の半値巾の異常性 : 半導体
- Geにおけるholeのinterband transition : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 8a-F-5 Ge,Siの格子散乱の異方性
- 中性子不純物による電子散乱の取扱いに関する反省 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 8a-F-7 ビスマスのサイクロトロン共鳴
- 半導体(昭和38年度における各専門分野研究活動の展望)
- 妄言