大塚 エイ三 | 阪大理
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概要
関連著者
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大塚 エイ三
阪大理
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阪大理
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阪大教養
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大塚 エイ三
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大塚 エイ三
大阪市大 工
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古林 豊偉
大阪市大理工
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大塚 エイ三
大阪市大理工
著作論文
- 4p-N-11 n-InSbのサブミリ波サイクロトロン共鳴
- 17p-A-9 n-InSbのサイクロトロン共鳴
- InSbのサブミリ波メーザー・サイクロトロン共鳴 : 半導体 (化合物, その他)
- 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
- 5a-G-8 転位と再結合とサイクロトロン共鳴
- Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
- 転移を含むGeのCyclotron共鳴 : 半導体 : マイクロ
- 8a-F-6 Ge/deep level impurityのサイクロトロン共鳴
- Quenched-in Vacancyを含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴II. : 非同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
- 3.Ge-Si合金のサイクロトロン共鳴と電流磁気効果(講義ノート,「非周期系物性の基礎理論」基研研究会報告)
- サイクロトロン共鳴の応用と限界 : 半導体シンポジウム
- 半導体のサイクロトロン共鳴
- Low Temperature Anomaly of Cyclotron Resonance with Heavily Doped Germanium
- 4p-N-12 CO_2レーザー光励起によるサイクロトロン共鳴
- 18a-A-21 一軸性圧力をかけたゲルマニウムの正孔のサイクロトロン共鳴
- 18a-A-20 GeとSiの変形ポテンシャル〓の決定
- 一軸性圧力を加えたGeのholeのサイクロトロン共鳴幅 : 半導体(不純物伝導)
- 深い準位の不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(不純物伝導)
- 中性不純物散乱におけるSpin-Polarizationの効果 : 半導体(不純物伝導)
- 3a-H-7 He^3による1°K以下でのサイクロトロン共鳴
- 3a-H-2 Si,Ge中のLiによる電子散乱
- 14a-K-10 Ge中の深い不純物による電子散乱
- 5a-G-9 Quantum Line's Width of Stress : Split Hole of He
- サイクロトロン共鳴を用いた中性不純物による捕獲と再結合の研究 : 半導体 : 雑
- Intervalley scattering by neutralized acceptors in Ge & Si : 半導体(レゾナンス)
- Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
- サイクロトロン共鳴の周波数依存性 : 半導体 : マイクロ
- サイクロトロン共鳴におよぼす一軸性ストレス効果 : 半導体 : マイクロ
- 16B-24 NaCl-NaBr混合結晶のNa核磁気共鳴吸收に対するQuadrupolar Effect
- Ge-Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴I. : 同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
- 5a-G-7 補償されたゲルマニウムのサイクロトロン共鳴
- Ge-Si合金のHall易動度(p-型) : 半導体 : 輸送
- 不純物を含むGe,Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体 : マイクロ
- 8a-F-4 Ge/Inのサイクロトロン共鳴
- 中性子不純物による電子散乱の取扱いに関する反省 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 2p-M-3 NMRによるイオン結晶の格子欠陥の研究
- Nacl単結晶の核磁気共鳴 : XIV. 格子欠陥
- 18A-13 NMRによるAlkali Halide中のDislocationの研究
- アルカリ・ハライド混晶における核四重極効果 : 磁気吸収