藤安 洋 | 静大工

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概要

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• 静大工の論文著者

関連著者

• 藤安 洋

  静大工

• 岡 泰夫

  東北大科研

• 邑瀬 和生

  阪大理

• 相馬 出

  東北大科研

• 中島 信一

  阪大工

• 中島 信一

  阪大工, 阪大超伝導セ

• 泉沢 久美恵

  東北大科研

• 杉江 隆一

  阪大工

• 鷹岡 貞夫

  阪大理

• 石田 明広

  静大工

• 藤井 研一

  阪大院理

• 大山 忠司

  阪大院理

• 萩行 正憲

  阪大超伝導セ

• 野間 空

  フジ精機(株)

• 中村 守

  東北大科研

• Fukumi K

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn

• 伊藤 京子

  静大工

• 石川 隆志

  阪大院理

• 生一 徳司

  日本セラテック

• 井上 明佳

  阪大工

• 釜下 敦

  東北大科研

• 邑瀬 和生

  阪大

• 百瀬 和夫

  フジ精機(株)

• 大山 忠司

  阪大理

• 石田 明広

  静岡大学 工学部電気電子工学科

• 大塚 エイ三

  阪大教養

• 下村 哲

  阪大理

• 藤安 洋

  阪大理

• 山梨 勤

  フジ精機(株)

• 以西 雅章

  静大工

• 大塚 エイ三

  阪大理

• 青木 正樹

  静大工

• 木下 治久

  静大電子科研

• 楊 桓

  静大工

• 呉 義宏

  静大工

• 長谷川 洋

  京大理物理

• 大山 忠司

  福井工大

• 下村 哲

  理研 フロンティア

• 播磨 弘

  阪大工

• 井上 恒一

  阪大理

• 石田 修一

  阪大理

• 有馬 出

  東北大科研

• 大塚 エイ三

  阪大理教養

• 藤安 洋

  静岡大学工学部

• 石野 健英

  静岡大学工学部

• 石野 建英

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 守時 克典

  阪大理

• 桑原 弘

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部

• 邑頼 和生

  阪大理

• 犬塚 エイ三

  阪大理

• 藤安 洋小

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科

• 長谷川 洋

  京大理

• 太田 弘貴

  阪大工

• 揺磨 弘

  阪大工

• 園田 慎一郎

  阪大工

• 木下 治久

  静大工

• 桑原 弘

  静大工短

• 笠井 崇史

  静大工

• 石野 健英

  静大工

• 高橋 洋

  阪大理

• 浦川 幸宏

  阪大理

• 奥村 敏之

  阪大理

• 堤 威晴

  東北大科研

• 笠井 崇史

  静岡大学大学院理工学研究科、工学部

• 和田 敦夫

  阪大工

• 楊 担

  静大工

• レ ホン・ソン

  阪大・理

• 揚 恒

  静大工

• 二瓶 史行

  阪大理

• 石田 明宏

  静大工

• レ ホン・ソン

  阪大理

• 山崎 康二

  静大工

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著作論文

• 2p-X-17 ホット・ウォール・エピタキシー法によるCd_Mn_xTe超格子の作製と光物性(III)
• 1p-F-4 ホット・ウォール・エピタキシー法によるCd_Te超格子の作製と光物性 (II)
• 1p-F-3 ホット・ウォール・エピタキシー法によるCd_Mn_xTe超格子の作製と光物性 (I)
• 22pK-4 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性II
• 24pC-10 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性
• 29a-ZE-4 II-VI族化合物半導体中のMn発光の母体依存性
• Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
• Ge,Siのサイクロトロン共鳴に及ぼすストレス効果 : 半導体 : マイクロ波
• 5a-F-8 ZnTe/CdSe超格子のラマン散乱
• 1p-N-6 ZnTe/ZnSeヘテロエピタキシャル膜における多重LOフォノンの線の振舞い
• 26a-ZH-20 ZnTe/ZnSe歪超格子におけるLOフォノンラマン線の偏光選択則の破れ
• 28p-W-14 ZnSe-ZnTe歪超格子における界面モード
• 30p-K-12 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子の光学的特性
• C-9-2 カーボンヒーターによるSrS:Cu薄膜の作製と評価
• 3p-A-1 IV-VI族半導体超格子の磁気プラズマ吸収
• 18a-A-21 一軸性圧力をかけたゲルマニウムの正孔のサイクロトロン共鳴
• 28a-A-10 ZnTe-ZnSe超格子の共鳴ラマン散乱
• 5a-C3-9 ZnTe-ZnSe超格子の発光特性
• 29a-D-3 ZnTe-ZnSe超格子における励起子発光のピコ秒分光
• 28p-F-9 Zn_Cd_xSe-ZnSe超格子の励起子発光
• 27p-A-8 II-VI族半導体超格子
• C-6-11 反応性蒸着中のMn蒸発性の酸化防止法
• 1a-Pβ-29 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子のシュブニコフ・ドハース効果
• 2p-C-13 ZnTe-ZnSe超格子における励起子発光のダイナミクス(イオン結晶・光物性)
• 28p-LD-12 PbTe/Pb_Sn_xTe超格子のサブバンド構造(半導体)
• 1a-D2-2 PbTe-SnTe超格子の超伝導(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)
• 30p-J-4 ホット・ウォール・エピタキシー法により作製したII-VI族半導体薄膜の光物性I(30pJ イオン結晶・光物性(磁気ポーラロン・磁性体))
• 30a-FC-5 ZnS-ZnTe超格子のフォノン(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 29p-FC-3 PbTe-Pb_Sn_xTe超格子の強磁場輸送現象(29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))

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