大塚 エイ三 | 阪大理教養
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概要
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著作論文
- 17p-A-9 n-InSbのサイクロトロン共鳴
- 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
- 5a-G-8 転位と再結合とサイクロトロン共鳴
- Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
- 8a-F-6 Ge/deep level impurityのサイクロトロン共鳴
- Quenched-in Vacancyを含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 3.Ge-Si合金のサイクロトロン共鳴と電流磁気効果(講義ノート,「非周期系物性の基礎理論」基研研究会報告)
- サイクロトロン共鳴の応用と限界 : 半導体シンポジウム
- 半導体のサイクロトロン共鳴
- Low Temperature Anomaly of Cyclotron Resonance with Heavily Doped Germanium
- 3a-H-7 He^3による1°K以下でのサイクロトロン共鳴
- 3a-H-2 Si,Ge中のLiによる電子散乱
- 14a-K-10 Ge中の深い不純物による電子散乱
- 5a-G-9 Quantum Line's Width of Stress : Split Hole of He
- Intervalley scattering by neutralized acceptors in Ge & Si : 半導体(レゾナンス)
- Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
- サイクロトロン共鳴の周波数依存性 : 半導体 : マイクロ
- Ge-Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴I. : 同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
- 5a-G-7 補償されたゲルマニウムのサイクロトロン共鳴